[实用新型]功率模块的封装框架，封装框架阵列及封装体

说明书

一种封装用框架，包括用于放置芯片的两个大基岛和一个小基岛。两个第一类型引脚区，分别同两个大基岛连接，第一类型引脚区分布在所述封装框架的一侧，自所述封装线内延伸至所述封装线外。至少四个第二类型引脚区，分布于封装框架的一侧或两侧，自封装线内延伸至所述封装线外，其中第一类型引脚区的宽度大于第二类型引脚区的宽度。封装框架外接区位于封装线外部周围，分别同第一类型引脚区、第二类型引脚区连接。基于该封装框架所封装形成的封装体具有散热良好，布局灵活紧凑，易于包装和贴装的优点。

技术领域

本实用新型涉及半导体封装技术领域，尤其涉及一种功率模块的封装框架，封装框架阵列及封装体。

背景技术

现有高压三相直流无刷电机驱动应用中，为追求一体化，多采用例如图1所示封装形式的三相智能功率模块(Intelligent Power Module)。该三相智能功率模块在一个封装体中集成多个智能半桥驱动芯片和功率器件。

三相智能功率模块存在以下主要问题：1.因为体积太大无法进行编带包装，生产中不能采用自动贴片机进行自动化生产，生产效率低。2.模块的散热热阻大，如图1中W，V，U，P引脚连接内部的功率器件，是关键导热通道，但因为这些引脚宽度较小，无法有效将功率器件的热量导出，功率器件温升较高，限制了应用功率。3.三相智能功率模块内部芯片间距大，需要金线和铜线混打，打线工艺复杂，成本高，同时也造成生产效率低，良率低的问题以及封装体积大产生的应力大易发生分层等可靠性问题。

例如，图1中的三相智能功率模块里面有六颗金属-氧化物半导体场效应管(MOSFET)，三颗半桥栅驱动芯片。内部互连线111为金打线，内部互连线112为铜打线，在封装时，需要一次封装9颗芯片，并且采用两种不同的打线工艺，封装工艺加工难度大，良率低。

因此，有必要对现有技术进行改进，在满足高集成度要求的前提下，降低工艺难度，提高散热性能，适于自动化生产。

实用新型内容

本实用新型说明书实施例的第一部分，披露了一种封装框架，包括：两个大基岛和一个小基岛，位于封装线内，所述封装线为待形成的封装塑封体的边界线，所述大基岛和小基岛用于放置芯片；至少两个第一类型引脚区，分别同所述两个大基岛连接，所述第一类型引脚区分布在所述封装框架的一侧，自所述封装线内延伸至所述封装线外；至少四个第二类型引脚区，分布于所述封装框架的一侧或两侧，自所述封装线内延伸至所述封装线外，其中所述第一类型引脚区的宽度大于所述第二类型引脚区的宽度；封装框架外接区，位于所述封装线外部周围，所述封装框架外接区分别同所述第一类型引脚区、所述第二类型引脚区连接。

在一个实施例中，所述第一类型引脚区上具有至少一个内凹部，所述内凹部将所述第一类型引脚区凸出所述封装线的部分分为两个或两个以上部分。

在一个实施例中，所述大基岛和所述小基岛包括用于放置芯片的芯片区和除所述芯片区之外的空白区，所述大基岛和/或小基岛的空白区上具有锁模孔，所述锁模孔用于形成注塑流道。

在一个实施例中，第一类型引脚区和第二类型引脚区的水平宽度之比为2-14。

本实用新型说明书实施例的第二部分披露了一种封装框架阵列，包括多个本实用新型说明书实施例第一部分所披露的封装框架，其中，多个引线框架之间通过框架连筋连接，框架连筋分别连接到每个封装框架的外接区。

本实用新型说明书实施例的第三部分披露了一种封装体，包括：引线框架，其中，所述引线框架为本实用新型说明书实施例第一部分所披露的封装框架切割掉外接区形成；至少一个芯片，放置于所述引线框架的所述大基岛和/或小基岛上；塑封体，所述塑封体沿所述封装线，封装所述引线框架和所述至少一个芯片。

在一个实施例中，其中，所述第二类型引脚区和所述芯片通过第一金属引线连接。