[实用新型]一种提高晶圆减薄厚度均匀性的压蜡装置有效
| 申请号： | 201921210827.X | 申请日： | 2019-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN210467774U | 公开（公告）日： | 2020-05-05 |
| 发明（设计）人： | 卢伟;孔笑天;郭中平 | 申请（专利权）人： | 马鞍山太时芯光科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L33/00 |
| 代理公司： | 安徽知问律师事务所 34134 | 代理人： | 郭大美 |
| 地址： | 243000 安徽省马鞍山*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提高 晶圆减 薄厚 均匀 装置 | ||
1.一种提高晶圆减薄厚度均匀性的压蜡装置，从上到下依次包括压力板(100)、蜡层(500)和载盘(600)，进行压蜡操作时，晶圆(400)位于压力板(100)和载盘(600)之间，且晶圆(400)通过蜡层(500)黏接在载盘(600)上，其特征在于：所述载盘(600)上承载n个晶圆(400)，所述压力板(100)底面贴有n个尺寸小于晶圆(400)的蓝膜组件(200)，n为正整数，其中，每个蓝膜组件(200)至少包括一个蓝膜；在压蜡操作中，每个晶圆(400)的上表面对应接触一个蓝膜组件(200)。
2.根据权利要求1所述的一种提高晶圆减薄厚度均匀性的压蜡装置，其特征在于：所述蓝膜组件(200)至少包括两个尺寸不同的蓝膜，其中，各蓝膜从小到大依次叠加贴在压力板(100)底面。
3.根据权利要求2所述的一种提高晶圆减薄厚度均匀性的压蜡装置，其特征在于：所述蓝膜组件(200)包括蓝膜A(210)和蓝膜B(220)。
4.根据权利要求3所述的一种提高晶圆减薄厚度均匀性的压蜡装置，其特征在于：所述蓝膜A(210)和蓝膜B(220)为圆形片状，其中，所述蓝膜A(210)的直径为晶圆(400)直径的四分之三，所述蓝膜B(220)的直径为晶圆(400)直径的一半。
5.根据权利要求1～4任意一项所述的一种提高晶圆减薄厚度均匀性的压蜡装置，其特征在于：所述蓝膜为单面带有含胶面(230)的圆形片状，其中，含胶面(230)用于贴在压力板(100)上。
6.根据权利要求5所述的一种提高晶圆减薄厚度均匀性的压蜡装置，其特征在于：所述蓝膜的厚度为70±3μm。
7.根据权利要求1所述的一种提高晶圆减薄厚度均匀性的压蜡装置，其特征在于：所述晶圆(400)均匀分布在载盘(600)上，其中，载盘(600)中间位置的各晶圆(400)四周至少留有3mm的空间，载盘(600)边缘处的各晶圆(400)四周至少留有5mm的空间。
8.根据权利要求1所述的一种提高晶圆减薄厚度均匀性的压蜡装置，其特征在于：所述载盘(600)为陶瓷盘或铁盘。
9.根据权利要求1所述的一种提高晶圆减薄厚度均匀性的压蜡装置，其特征在于：所述晶圆(400)与蓝膜组件(200)之间还设置有保护晶圆(400)上表面的保护层(300)。
10.根据权利要求9所述的一种提高晶圆减薄厚度均匀性的压蜡装置，其特征在于：所述保护层(300)为橡胶垫(310)和蜡纸(320)的叠加，其中，蜡纸(320)直接接触晶圆(400)上表面，橡胶垫(310)置于蜡纸(320)上方。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
