[实用新型]一种提高晶圆减薄厚度均匀性的压蜡装置有效
申请号: | 201921210827.X | 申请日: | 2019-07-26 |
公开(公告)号: | CN210467774U | 公开(公告)日: | 2020-05-05 |
发明(设计)人: | 卢伟;孔笑天;郭中平 | 申请(专利权)人: | 马鞍山太时芯光科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L33/00 |
代理公司: | 安徽知问律师事务所 34134 | 代理人: | 郭大美 |
地址: | 243000 安徽省马鞍山*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 提高 晶圆减 薄厚 均匀 装置 | ||
本实用新型公开了一种提高晶圆减薄厚度均匀性的压蜡装置,属于LED生产领域。从上到下依次包括压力板、蓝膜组件、保护层、蜡层和载盘,其中,所述压力板的下底面贴有n个蓝膜组件,所述载盘为陶瓷盘或铁盘,其上通过蜡层均匀黏接n个晶圆,每个蓝膜组件位于晶圆上方的中部,且其尺寸小于晶圆的尺寸;所述保护层为橡胶垫和蜡纸的叠加,设置于晶圆的上方。本实用新型通过对压蜡装置的优化设计,能够保证晶圆在压蜡过程中蜡层厚度均匀,使得减薄后的晶圆厚度均匀,结构简单,设计合理,易于制造。
技术领域
本实用新型属于LED生产领域,更具体地说,涉及一种提高晶圆减薄厚度均匀性的压蜡装置。
背景技术
晶圆减薄,是在制作集成电路中的晶圆体减小尺寸,为了制作更复杂的集成电路。LED器件在制造过程中,需要对晶片衬底进行减薄,改善芯片的散热效果,来提高LED器件的性能。在传统的减薄工艺中,使用的方法是,在升温到100℃的陶瓷盘上,使用涂抹一层液态低温蜡滴,再将晶圆覆盖在蜡液上后加压冷却后,进行机械研磨。但因熔化后的低温蜡的粘度高、流动性差,加上LED晶圆的材质是GaAs或GaP,且比较薄,在加压冷却过程中,蜡液易堆积在LED晶圆下方中心位置,使得LED晶圆由中心向上的凸起,从而导致LED晶圆中心的蜡层比边缘厚,研磨后易产生LED晶圆厚度不均的问题。同时因为传统的减薄工艺中,陶瓷盘中间位置芯片厚度均匀性比边缘位置更差,实际生产过程中,在陶瓷盘上,进行LED晶圆研磨时,是沿着陶瓷盘边缘均匀摆放LED晶圆,这样会使得陶瓷盘中间的位置空余,陶瓷盘空间利用不足,导致研磨效率降低。
例如,中国专利申请号为201711006285.X,申请公开日为2018年1月19日的专利申请文件公开了一种多尺寸兼容的晶圆研磨设备及其研磨方法。该设备包括用于放置待研磨晶圆的载盘,所述载盘上放置有与待研磨晶圆材质和厚度相同的小陪片,所述小陪片的上方设置有厚度测量装置,所述厚度测量装置包括正对于小陪片上方的测量器高点和正对载盘任一空载位置的测量器低点。该设备通过在特定位置增加材质、厚度相同小块陪片的方法配合研磨机上不方便改动的厚度测量装置,但是,该设备只解决了测量晶圆厚度的问题,并未解决晶圆上蜡层厚度不均匀而导致晶圆减薄后厚度不均匀的问题。
再如,中国专利申请号为201610487724.2,申请公开日为2016年11月09日的专利申请文件公开了一种LED用砷化镓衬底减薄工艺中的贴片方法。该专利包括以下步骤(1)将研磨工件擦拭干净;(2)将双面膜背面贴在研磨工件上;(3)将待减薄砷化镓衬底研磨面朝上贴在双面膜正面;(4)将贴好砷化镓衬底的研磨工件加热;(5)在研磨工件上放置无尘纸以保护衬底表面,加压;(6)停止加压后,对砷化镓衬底进行减薄作业;(7)减薄作业完毕并清洗干净后,加热研磨工件至双面膜无粘性;(8)取下砷化镓衬底,清洗去除砷化镓衬底正面的残留粘着物。该贴片方法用双面膜代替有机蜡,避免了蜡层厚度不均匀而导致减薄后的砷化镓衬底厚度不均匀,但是,该减薄方式对双面膜的均匀性要求很高,且不能通过贴膜工艺来改变双面膜自身的厚度偏差,另外该方式贴膜过程中,易在双面膜与研磨工件之间以及双面膜与砷化镓衬底之间残留气泡,导致后续减薄加工过程中有碎片风险。
目前使用有机蜡对晶圆进行贴片是最保证晶圆质量的方式,因此,对于使用有机蜡进行晶圆贴片的压蜡装置,为了在加压过程中,蜡层厚度在晶圆上分布均匀,减小晶圆表面各处的研磨误差,开发一种提高晶圆减薄厚度均匀性的压蜡装置,避免晶圆中心的蜡层堆积而导致晶圆受到挤压而向上凸起,使得减薄后的晶圆各处的厚度均匀,就成为亟需解决的问题。
发明内容
1.要解决的问题
针对现有因蜡层堆积在晶圆中心,而导致LED晶圆中心向上凸起,进而导致减薄后LED晶圆厚度不均的问题,本实用新型提供一种提高晶圆减薄厚度均匀性的压蜡装置,通过对压蜡装置的优化设计,能够保证晶圆在压蜡过程中蜡层厚度均匀,使得减薄后的晶圆厚度均匀。
本实用新型提供一种提高晶圆减薄厚度均匀性的压蜡装置,还进一步解决了承载晶圆的载盘空间利用率较低的问题,提高了企业的生产效率。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造