[实用新型]一种石墨盘及其配套衬底有效
申请号: | 201921220024.2 | 申请日: | 2019-07-31 |
公开(公告)号: | CN210314481U | 公开(公告)日: | 2020-04-14 |
发明(设计)人: | 周宏敏;唐超;王瑜;林兓兓;张家豪 | 申请(专利权)人: | 安徽三安光电有限公司 |
主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458 |
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地址: | 241000 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 石墨 及其 配套 衬底 | ||
本实用新型属于发光半导体设备领域,尤其涉及一种石墨盘及其配套衬底,石墨盘包括多个用于放置衬底的晶圆凹槽,衬底的侧面设置有卡槽,晶圆凹槽的顶部周边设置有上层组件,上层组件底部的至少一侧位于晶圆凹槽的侧壁,上层组件上设有用于固定衬底的侧向组件,侧向组件为可伸缩结构,侧向组件嵌于衬底的卡槽内。本实用新型降低了离心力对衬底的影响,使得衬底在生长时无法翘起,或翘起时角度较小,不会干扰到石墨盘面的气流模型,得到较好均匀性的片源,提高良率。
技术领域
本实用新型属于发光半导体设备领域,尤其涉及一种石墨盘及其配套衬底, 以减小衬底的翘起角度,改善片源波长的均匀性。
背景技术
发光二极管(英文为Light Emitting Diode,简称LED)是一种固态半导体二极管发光器件,被广泛用于指示灯、显示屏等照明领域。现阶段制取LED晶圆片的方法主要是通过金属有机化合物化学气相沉淀(英文为Metal-organic Chemical Vapor Deposition ,简称MOCVD)实现,可以简述其流程如下:将外延晶圆衬底(如蓝宝石衬底/Si衬底)放入石墨承载盘(Wafer carrier)的凹槽上,将其石墨承载盘一起传入MOCVD 反应室内,通过将反应室温度加热到设定好的温度,并配合通入有机金属化合物和五族气体,使它们在晶圆衬底上断开化学键并重新聚合形成LED外延层。
随着LED的发展,尤其是近几年Mirco LED,Mini LED概念的提出,波长均匀性正变得越来越重要,也因为这个原因,使用低转速生长的Aixtron机台由于均匀性的优势也成为市场中普遍看好的机型,但由于机台的稼动率较低,因此会造成成本的劣势,而在这个方面,美国Veeco公司及国产中微等厂家具备明显的优势。但Veeco机台和中微机台会存在明显的迎风面问题,影响波长均匀性。主要是由于这两种机型均使用高转速(200~1200RPM),当高速旋转时,由于离心力的作用,衬底靠近石墨盘中心的区域会翘起,从而导致该区域温度较低,导致波长偏长,从而导致STD偏差,同时由于衬底翘起,会导致翘起部分受气流影响,产生严重的迎风面波长异常现象。
因此,研究并设计出一种石墨盘及其配套衬底是非常有必要的。
发明内容
本实用新型的目的在于提供一种石墨盘及其配套衬底,以解决上述背景技术中片源在机台内高速旋转,受离心力的作用导致的翘曲,影响片源均匀性的问题。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种石墨盘及其配套衬底,石墨盘包括多个用于放置衬底的晶圆凹槽,所述衬底的侧面设置有卡槽,晶圆凹槽的顶部周边设置有上层组件,上层组件底部的至少一侧位于晶圆凹槽的侧壁,上层组件上设有用于固定衬底的侧向组件,侧向组件为可伸缩结构,侧向组件嵌于衬底的卡槽内。
优选的,所述上层组件在每个晶圆凹槽处设置多个。
优选的,多个所述上层组件连接为一个整体结构,连接的部分不遮挡晶圆凹槽。
优选的,所述上层组件为倒凹字形结构,相邻的两个晶圆凹槽共用一个上层组件,上层组件的凹面紧贴晶圆凹槽的内壁和石墨盘表面。
优选的,所述上层组件还设有固定孔和固定部件,固定部件插入固定孔内,将上层组件固定在石墨盘上。
优选的,所述上层组件的底部侧面设置有固定槽。
优选的,所述侧向组件包括插入固定槽的固定块和与固定块连接的凸起,凸起与衬底的卡槽相匹配。
优选的,所述凸起为具有弹性的弹片结构。
优选的,所述固定块和凸起之间设有能左右伸缩的弹性结构。
优选的,所述凸起为间隔设置或者为沿晶圆凹槽侧壁分布的圆环结构。
优选的,所述凸起为铼凸起或者钨凸起。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的