[实用新型]一种多基岛引线框架及电源转换模块的QFN封装结构

权利要求书

1.一种应用于电源转换模块QFN封装的多基岛引线框架，其特征在于，至少包括：

相互之间电气隔离的一第一基岛以及一第二基岛；

所述第一基岛具有用于承载功率器件的一第一承载面，以及与所述第一承载面相对的一第一散热面，所述第一基岛具有设置于所述多基岛引线框架至少一边、并与所述第一基岛本体直接连接的多个第一引脚；

所述第二基岛具有用于承载控制所述功率器件的主控芯片的一第二承载面，以及与所述第二承载面相对的一第二散热面，所述第二基岛具有设置于所述多基岛引线框架两相邻边、并与所述第二基岛本体分离的多个第二引脚；

其中，在所述多基岛引线框架应用于QFN封装被塑封体进行塑封后，相应散热面部分或全部暴露于所述塑封体，并且所有引脚的端部以及与相应散热面共面的底面部分暴露于所述塑封体。

2.根据权利要求1所述的多基岛引线框架，其特征在于，所述第二基岛还具有至少一支撑结构支撑所述第二基岛。

3.根据权利要求2所述的多基岛引线框架，其特征在于，所述支撑结构与所述第二基岛本体直接连接，并延伸至所述多基岛引线框架两相邻边。

4.根据权利要求1所述的多基岛引线框架，其特征在于，所述第一基岛的面积大于所述第二基岛的面积。

5.根据权利要求1所述的多基岛引线框架，其特征在于，所述第一承载面上用于承载功率器件的区域之外设有至少一糙面区。

6.根据权利要求1所述的多基岛引线框架，其特征在于，所述第一承载面上用于承载功率器件的区域之外设有至少一打线区，用于通过金属引线实现所述第一基岛与其它基岛上承载的芯片或器件的电性连接。

7.根据权利要求1所述的多基岛引线框架，其特征在于，所述第二引脚上设置有一打线区，用于通过金属引线实现所述第二引脚与所述第二承载面上承载的主控芯片的电性连接，和/或与所述第一承载面上承载的功率器件的电性连接。

8.根据权利要求1所述的多基岛引线框架，其特征在于，所述多基岛引线框架还包括一第三基岛，所述第三基岛与所述第一基岛结构相同且对称设置于所述多基岛引线框架上。

9.根据权利要求1所述的多基岛引线框架，其特征在于，所述多基岛引线框架还包括一第四基岛，所述第四基岛具有用于承载分立器件的一第四承载面，以及与所述第四承载面相对的一第四散热面，所述第四基岛具有设置于所述多基岛引线框架两相邻边的多个第四引脚。

10.根据权利要求9所述的多基岛引线框架，其特征在于，所述分立器件为二极管芯片。

11.一种电源转换模块的QFN封装结构，其特征在于，包括：

一多基岛引线框架，所述多基岛引线框架至少包括相互之间电气隔离的一第一基岛以及一第二基岛；所述第一基岛具有一第一承载面，以及与所述第一承载面相对的一第一散热面，所述第一基岛具有设置于所述多基岛引线框架至少一边、并与所述第一基岛本体直接连接的多个第一引脚；所述第二基岛具有一第二承载面，以及与所述第二承载面相对的一第二散热面，所述第二基岛具有设置于所述多基岛引线框架两相邻边、并与所述第二基岛本体分离的多个第二引脚；

一第一功率器件，设置于所述第一承载面上，并与所述第一引脚直接连接；

一控制所述第一功率器件的主控芯片，设置于所述第二承载面上，所述主控芯片通过金属引线分别与所述第二引脚以及所述第一功率器件电性连接；以及

一塑封体，塑封承载所述第一功率器件和所述主控芯片的所述多基岛引线框架；

其中，相应散热面部分或全部暴露于所述塑封体，并且所有引脚的端部以及与相应散热面共面的底面部分暴露于所述塑封体；

所述第一引脚的工作电压与所述第二引脚的工作电压不相同。