[实用新型]一种多基岛引线框架及电源转换模块的QFN封装结构

说明书

本实用新型公开了一种多基岛引线框架及电源转换模块的QFN封装结构，通过采用多基岛并应用QFN封装，提高了集成度，缩小了封装体体积、降低了封装成本；通过将基岛进行封装最大外漏，达到高散热目的；封装结构内部各基岛之间电气隔离，且基岛与基岛之间设置了安全隔离间距，封装结构外漏散热面之间、引脚与引脚之间、分离式引脚与散热面之间均进行安全间距设计，可以有效防止高压击穿，进而满足封装或可靠性的要求。

技术领域

本实用新型涉及半导体封装技术领域，尤其涉及一种多基岛引线框架及电源转换模块的QFN封装结构。

背景技术

随着集成电路IC设计、制造行业得到飞速发展，封装技术也得到了大幅提升。封装是整个集成电路制造过程中重要一环，它具有散热和保护功能。封装工艺能够将芯片密封，隔绝外界污染及外力对芯片的破坏。

随着技术的进步，在一个封装体中封装两颗芯片已经不能满足需求。在一个封装体中封装多颗芯片，成为了技术发展的方向。现有的在每一个基岛上放置一个芯片的多基岛框架在实际应用时，各引脚因为高低电压差异比较大，非常容易相互之间击穿，进而无法满足封装或可靠性的要求。

低成本、超薄型、高散热贴片封装一直是半导体封装的开发方向，随着国家大力倡导环保节能，电机行业也迎来了春天，电机驱动技术发展突飞猛进。芯片面积越来越小，功率越来越大，使用环境越来越极限，散热要求越来越高，市场竞争日益激烈，成本竞争尤为突出。传统的DIP/SOP IPM封装结构，存在散热性欠佳、成本高、封装兼容性欠佳，可选供应商较少等缺点。

目前市场上也出现了QFN封装形式，传统的QFN封装通常是用来封装存储类的芯片。电源转换类的芯片由于功耗大，散热要求高，管脚之间安全间距等一系列的问题，不太适用于QFN封装针对存储类芯片的封装工艺。因此，如何解决DIP/SOP IPM现有封装结构体积大、成本高、兼容性差、散热欠佳等问题，成为多基岛引线框架及半导体封装发展亟待解决的技术问题。

实用新型内容

本实用新型的目的在于，针对现有技术中存在的技术问题，提供一种多基岛引线框架及电源转换模块的QFN封装结构，可以实现封装结构的封装体积小、成本低、散热高、集成度高、兼容性好等优点。

为实现上述目的，本实用新型提供了一种应用于电源转换模块QFN封装的多基岛引线框架，至少包括：相互之间电气隔离的一第一基岛以及一第二基岛；所述第一基岛具有用于承载功率器件的一第一承载面，以及与所述第一承载面相对的一第一散热面，所述第一基岛具有设置于所述多基岛引线框架至少一边、并与所述第一基岛本体直接连接的多个第一引脚；所述第二基岛具有用于承载控制所述功率器件的主控芯片的一第二承载面，以及与所述第二承载面相对的一第二散热面，所述第二基岛具有设置于所述多基岛引线框架两相邻边、并与所述第二基岛本体分离的多个第二引脚；其中，在所述多基岛引线框架应用于QFN封装被塑封体进行塑封后，相应散热面部分或全部暴露于所述塑封体，并且所有引脚的端部以及与相应散热面共面的底面部分暴露于所述塑封体。

为实现上述目的，本实用新型还提供了一种电源转换模块的QFN封装结构，包括：一多基岛引线框架，所述多基岛引线框架至少包括相互之间电气隔离的一第一基岛以及一第二基岛；所述第一基岛具有一第一承载面，以及与所述第一承载面相对的一第一散热面，所述第一基岛具有设置于所述多基岛引线框架至少一边、并与所述第一基岛本体直接连接的多个第一引脚；所述第二基岛具有一第二承载面，以及与所述第二承载面相对的一第二散热面，所述第二基岛具有设置于所述多基岛引线框架两相邻边、并与所述第二基岛本体分离的多个第二引脚；一第一功率器件，设置于所述第一承载面上，并与所述第一引脚直接连接；一控制所述第一功率器件的主控芯片，设置于所述第二承载面上，所述主控芯片通过金属引线分别与所述第二引脚以及所述第一功率器件电性连接；以及一塑封体，塑封承载所述第一功率器件和所述主控芯片的所述多基岛引线框架；其中，相应散热面部分或全部暴露于所述塑封体，并且所有引脚的端部以及与相应散热面共面的底面部分暴露于所述塑封体；所述第一引脚的工作电压与所述第二引脚的工作电压不相同。