[实用新型]一种功率沟槽式MOS场效应管有效
| 申请号： | 201921230126.2 | 申请日： | 2019-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN210092060U | 公开（公告）日： | 2020-02-18 |
| 发明（设计）人： | 梅小杰;林河北;杜永琴 | 申请（专利权）人： | 深圳市金誉半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/02 | 分类号： | H01L23/02;H01L23/16;H01L29/78;H01L23/367 |
| 代理公司： | 深圳市中科创为专利代理有限公司 44384 | 代理人： | 彭西洋;谢亮 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙华区大浪街道浪口社区华*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 功率 沟槽 mos 场效应 | ||
1.一种功率沟槽式MOS场效应管，其特征在于：包括MOS场效应管本体以及罩设于MOS场效应管本体外部的外壳，所述外壳由顶盖和底座组成，所述MOS场效应管本体嵌设于底座的顶端，所述底座的顶部卡接有顶盖，所述顶盖底端的四个拐角处均固定有插杆，且四个插杆内部的中间位置处均开设有锁紧槽，所述底座顶端的四个拐角处均开设有与插杆相对应的插槽，且插槽的内部底部固定有弹簧，所述弹簧的顶端连接有推板，且推板的顶部与插杆的底部相接触，所述底座的外壁两侧均插接有贯穿锁紧槽并与插槽内壁通过螺纹旋合连接的锁紧杆。
2.根据权利要求1所述的一种功率沟槽式MOS场效应管，其特征在于：所述顶盖和底座连接处的两侧对称开设有散热槽口，且两个散热槽口的内部卡接有散热鳍片，所述底座的内部且位于MOS场效应管本体的两侧对称设置有与MOS场效应管本体相贴合的导热板，两个所述导热板与两个散热鳍片相对应，且两个导热板与散热鳍片之间插接有等距离分布的导热柱。
3.根据权利要求1所述的一种功率沟槽式MOS场效应管，其特征在于：所述插杆相对于顶盖的一端相对的角均以圆弧倒角过渡，形成圆弧部。
4.根据权利要求1所述的一种功率沟槽式MOS场效应管，其特征在于：所述插槽的内部底部还固定有伸缩筒，所述伸缩筒由内筒和外筒组成，且内筒的端部与推板相连接，外筒的端部与插槽的内部底部相连接，所述弹簧套设于伸缩筒的外部。
5.根据权利要求1所述的一种功率沟槽式MOS场效应管，其特征在于：所述锁紧杆位于底座外部的一端定有指杆，且指杆相邻于底座的一侧对称开设有弧形槽。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市金誉半导体股份有限公司，未经深圳市金誉半导体股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201921230126.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
