[实用新型]一种功率沟槽式MOS场效应管有效
申请号: | 201921230126.2 | 申请日: | 2019-07-30 |
公开(公告)号: | CN210092060U | 公开(公告)日: | 2020-02-18 |
发明(设计)人: | 梅小杰;林河北;杜永琴 | 申请(专利权)人: | 深圳市金誉半导体股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/02 | 分类号: | H01L23/02;H01L23/16;H01L29/78;H01L23/367 |
代理公司: | 深圳市中科创为专利代理有限公司 44384 | 代理人: | 彭西洋;谢亮 |
地址: | 518000 广东省深圳市龙华区大浪街道浪口社区华*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 功率 沟槽 mos 场效应 | ||
本实用新型属于MOS场效应管技术领域,且公开了一种功率沟槽式MOS场效应管,包括MOS场效应管本体以及罩设于MOS场效应管本体外部的外壳,所述外壳由顶盖和底座组成,所述MOS场效应管本体嵌设于底座的顶端,所述底座的顶部卡接有顶盖,所述顶盖底端的四个拐角处均固定有插杆,且四个插杆内部的中间位置处均开设有锁紧槽,所述底座顶端的四个拐角处均开设有与插杆相对应的插槽,且插槽的内部底部固定有弹簧,所述弹簧的顶端连接有推板,本实用新型采用了插拔式结构,通过插杆、插槽、锁紧杆的设置,实现效应管能够快速拆装,大大地降低了效应管的拆装难度,提高了效应管的拆装效率,有利于效应管的维护和检修,从而提高效应管的维修效率。
技术领域
本实用新型属于MOS场效应管技术领域,具体涉及一种功率沟槽式MOS场效应管。
背景技术
MOS场效应管即金属-氧化物-半导体型场效应管,属于绝缘栅型,其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层,因此具有很高的输入电阻(最高可达1015Ω),它也分N沟道管和P沟道管,通常是将衬底(基板)与源极S接在一起。
但是目前市场上的功率沟槽式MOS场效应管,在使用时存在一些缺陷,例如,拆装不便,当效应管损坏时,拆卸难度大,维修效率低,另外效应管长时间使用容易产生热量,容易导致效应管高温损坏,影响其使用寿命。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种功率沟槽式MOS场效应管,以解决上述背景技术中提出的拆装不便,维修效率低,另外效应管长时间使用容易产生热量,容易导致效应管高温损坏的问题。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种功率沟槽式MOS场效应管,包括MOS场效应管本体以及罩设于MOS场效应管本体外部的外壳,所述外壳由顶盖和底座组成,所述MOS场效应管本体嵌设于底座的顶端,所述底座的顶部卡接有顶盖,所述顶盖底端的四个拐角处均固定有插杆,且四个插杆内部的中间位置处均开设有锁紧槽,所述底座顶端的四个拐角处均开设有与插杆相对应的插槽,且插槽的内部底部固定有弹簧,所述弹簧的顶端连接有推板,且推板的顶部与插杆的底部相接触,所述底座的外壁两侧均插接有贯穿锁紧槽并与插槽内壁通过螺纹旋合连接的锁紧杆。
优选的,所述顶盖和底座连接处的两侧对称开设有散热槽口,且两个散热槽口的内部卡接有散热鳍片,所述底座的内部且位于MOS场效应管本体的两侧对称设置有与MOS场效应管本体相贴合的导热板,两个所述导热板与两个散热鳍片相对应,且两个导热板与散热鳍片之间插接有等距离分布的导热柱。
优选的,所述插杆相对于顶盖的一端相对的角均以圆弧倒角过渡,形成圆弧部。
优选的,所述插槽的内部底部还固定有伸缩筒,所述伸缩筒由内筒和外筒组成,且内筒的端部与推板相连接,外筒的端部与插槽的内部底部相连接,所述弹簧套设于伸缩筒的外部。
优选的,所述锁紧杆位于底座外部的一端定有指杆,且指杆相邻于底座的一侧对称开设有弧形槽。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:
(1)本实用新型采用了插拔式结构,通过插杆、插槽、锁紧杆的设置,实现效应管能够快速拆装,大大地降低了效应管的拆装难度,提高了效应管的拆装效率,有利于效应管的维护和检修,从而提高效应管的维修效率。
(2)本实用新型设置了导热板、导热柱以及散热鳍片,通过导热板将MOS场效应管本体工作时产生的热量吸收,并通过导热柱传导至散热鳍片上,而后通过散热鳍片在散热槽口内与外部空气接触将热量散发,从而实现MOS场效应管本体的散热,避免效应管高温损坏,有利于延长效应管的使用寿命。
附图说明
图1为本实用新型的主视图;
图2为本实用新型的外观图;
图3为本实用新型底座的俯视图;
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