[实用新型]一种硅片清洗装置有效
申请号: | 201921244255.7 | 申请日: | 2019-08-02 |
公开(公告)号: | CN210956604U | 公开(公告)日: | 2020-07-07 |
发明(设计)人: | 张超;成路;刘安娜 | 申请(专利权)人: | 隆基绿能科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L31/18 |
代理公司: | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人: | 莎日娜 |
地址: | 710100 陕西*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 硅片 清洗 装置 | ||
1.一种硅片清洗装置,用于清洗硅片,其特征在于,所述硅片清洗装置包括:漂洗槽、监测单元和控制单元;其中,
所述漂洗槽中盛装有用于清洗所述硅片的漂洗液;
所述监测单元的一端插入所述漂洗液中,所述监测单元用于监测所述漂洗液的水质浊度;
所述控制单元与所述监测单元的另一端连接,所述控制单元用于根据所述水质浊度与预设浊度阈值的比较结果,提示换水。
2.根据权利要求1所述的硅片清洗装置,其特征在于,所述水质浊度为散射浊度。
3.根据权利要求1所述的硅片清洗装置,其特征在于,所述监测单元包括:吸水探头、导管和监测仪;其中,
所述吸水探头插入所述漂洗液中,所述吸水探头用于吸入所述漂洗液;
所述导管的一端与所述吸水探头连接,所述导管的另一端与所述监测仪连接,所述导管用于将吸入的所述漂洗液导向所述监测仪;
所述监测仪与所述控制单元连接,所述监测仪,用于监测导入的所述漂洗液的水质浊度。
4.根据权利要求3所述的硅片清洗装置,其特征在于,所述监测仪为浊度仪。
5.根据权利要求4所述的硅片清洗装置,其特征在于,所述漂洗槽包括多个,每个所述漂洗槽对应一个所述吸水探头;
每个所述吸水探头分别通过一个所述导管与所述监测仪连接。
6.根据权利要求1所述的硅片清洗装置,其特征在于,所述硅片清洗装置还包括:显示单元;其中,
所述显示单元与所述控制单元连接,用于显示所述水质浊度。
7.根据权利要求1所述的硅片清洗装置,其特征在于,所述硅片清洗装置还包括:试剂槽和烘干槽;其中,
所述漂洗槽分别与所述试剂槽和所述烘干槽连接。
8.根据权利要求7所述的硅片清洗装置,其特征在于,所述试剂槽有多个,多个所述试剂槽顺次连接。
9.根据权利要求7所述的硅片清洗装置,其特征在于,所述漂洗槽有多个,多个所述漂洗槽顺次连接。
10.根据权利要求7所述的硅片清洗装置,其特征在于,所述硅片清洗装置还包括:上料槽;其中,
所述上料槽与所述试剂槽连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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