[实用新型]半导体发光器件

说明书

本实用新型公开了一种半导体发光器件，包括基板、设置在所述基板上的半导体发光芯片组件、设置在所述基板上并包裹在所述半导体发光芯片组件侧面的第一围坝、覆盖在所述半导体发光芯片组件的出光面上的透光层、以及设置在所述透光层和/或第一围坝上的第二围坝；所述半导体发光芯片组件包括至少一个半导体发光芯片；所述半导体发光芯片设有第一焊盘和第二焊盘，所述基板上设有第一焊垫和第二焊垫；所述第一焊盘通过金属导线与所述第一焊垫导电连接，所述第二焊盘与所述第二焊垫导电连接；所述第二围坝远离所述基板的顶部高于所述金属导线。本实用新型的半导体发光器件，可实现小型化、高光效及高可靠性。

技术领域

本实用新型涉及半导体发光技术领域，尤其涉及一种半导体发光器件。

背景技术

随着发光效率的提升和制造成本的下降，半导体发光光源已被广泛应用于背光、显示和照明等领域。半导体发光光源包括有LED、COB、模组、灯板、灯条等多种类型。在不久的将来，半导体发光光源有可能替代传统光源成为普通照明的主要光源。

常见的称为SMD的半导体发光光源(半导体发光器件)结构如图1所示，其包括杯形支架11、设置在杯形支架11上的半导体发光芯片12、包裹在半导体发光芯片12出光侧的封装层13、芯片正极14a和芯片负极14b、正极焊盘15a和负极焊盘15b、金属连线16a和16b，以及与外界导电连接用的正极焊垫17a和负极焊垫17b。

由图1所示现有的半导体发光光源结构可知，杯形支架11是预先定制的，具有一定的高度、宽度和长度，无法满足光源小型化的需求。预先定制的尺寸也局限了不同尺寸光源的设计与制造。为了方便放置半导体发光芯片12到杯形支架11中，半导体发光芯片12与杯形支架11的内侧壁必须留出足够的空隙，进一步局限了半导体发光光源的小型化能力，也局限了杯形支架11表面能放置半导体发光芯片12的数量与大小，影响到光源光效与光密度的进一步提升。

另一种常见的称为COB的半导体发光光源结构如图2所示，其包括基板21、设置在基板21上的半导体发光芯片22、设置在半导体发光芯片22外侧四周的围坝28、填充在围坝28内包裹并半导体芯片22出光侧的封装层23、芯片正极24a和芯片负极24b、正极焊盘25a和负极焊盘25b、金属连线26以及与外界导电连接用的正极焊垫27a和负极焊垫27b。半导体发光芯片22的其中一极回流或共晶焊接在焊盘上。

由图2所示现有的半导体发光光源结构可知，为了防止制备围坝28的围坝胶污染半导体发光芯片22，围坝28一般远离半导体发光芯片22的侧面。为确保引线品质，金属连线26必须有一定的弧度，为了确保金属连线6不外露，填空在围坝28内的封装层23需要一定的厚度。半导体发光芯片22与围坝28之间的空隙局限了半导体发光光源的小型化能力，也局限了围坝28内能放置半导体发光芯片22的数量与大小，影响到光源光效与光密度的进一步提升。由于封装层23有一定的厚度，不能做到很薄，严重影响封装层23内荧光材料本身所产生热量的传导，继而会导致封装层23的表面温度高，影响光效，加快衰减。

另一种常见的称为CSP的半导体发光光源结构如图3所示，其包括基板31、设置在基板上的半导体发光芯片32和紧密包裹在半导体发光芯片32外侧四周的绝缘层38、包裹半导体芯片32出光侧的封装层33、芯片正极34a和芯片负极34b、正极焊盘35a和负极焊盘35b、金属连线36以及与外界导电连接用的正极焊垫37a和负极焊垫37b。半导体发光芯片32的其中一极回流或共晶焊接在焊盘上。

为了防止制备绝缘层38的绝缘胶污染半导体发光芯片32，绝缘层38的高度一般与半导体发光芯片32上表面齐平或略低于半导体发光芯片32上表面。为了改善封装层33内荧光材料本身所产生热量的传导能力，封装层33厚度也会做到很薄，导致金属连线36往往外露在封装层33和绝缘层38的上表面，任何猛碰挤压光源上表面都有可能导致金属连线36短路或断路，导致光源失效。

因此，由于上述半导体发光光源结构存在本质的缺陷和不足，无法解决实现半导体发光器件小尺寸、高光效、高可靠所面临的问题。