[实用新型]一种晶片加工机台的基座

说明书

本实用新型公开了一种晶片加工机台的基座，包括基座，所述基座的竖直截面为上窄下宽的梯形，基座的上方两侧均设有支柱一，支柱一的上侧安装有外壳体，支柱一朝基座内侧设有电动伸缩杆，电动伸缩杆的活动杆顶部连接有卡块，卡块滑动连接有活动块，两活动块之间固定设有置物台，本实用新型结构简单，利用梯形支柱和基座将所受应力分散，加大活动块与卡块的接触面积，通过压力传感器精准控制对置物台的夹持状态，通孔和螺旋凹槽的设置可以充分利用气流的作用，维持加工过程中的环境稳定，降低加工过程中局部变化产生的影响。

技术领域

本实用新型涉及半导体制造技术领域，具体是一种晶片加工机台的基座。

背景技术

人们都知道，半导体晶片的加工精度要求特别高，半导体晶片的制造工艺含有许多工序，其中，晶片的等离子蚀刻工序需要使晶片加工装置处于冷却状态。晶片加工装置上处于晶片下侧的那一部分被称为基座，晶片的冷却便是通过对基座致冷而实现的。基座的致冷方式是使低温的流体致冷介质流经基座内部的通道。对基座的致冷温度结果影响着晶片的等离子浸蚀速度或蚀刻速度。

晶圆基座是晶圆制造过程中用于承载晶圆的重要结构部件。一般来说，晶圆基座包括用于承载晶圆的基板以及用于支撑所述基本的波纹管。所述波纹管在马达等驱动器的驱动下，带动所述基板沿所述晶圆基座的轴向方向进行升降运动，以满足位于所述基板上的晶圆不同的制程工艺需求。

但是，现有的波纹管内部的波纹结构由环形凸起与环形凹槽交替构成，以形成类似褶皱的结构。在对位于所述基板上的晶圆进行加工的过程中，反应生成物、副产物或者其他颗粒物会掉落至所述基板的下方，进而附着到存在大量褶皱的波纹管的内壁以及底部。

目前主流的晶圆基座清理方法是RPS(Remote Plasma Source，远程等离子源)方法，即利用RPS解离NF3产生氟离子，通过氟离子与颗粒物反应生成气体，然后利用真空泵将气体抽走。然而，由于波纹管内部的波纹结构，使得沉积于所述波纹管内壁的颗粒物很难通过RPS方法清除。随着波纹管内颗粒物的增多，成为粒子源，会降低晶圆处理机台的加工效率，甚至是导致晶圆产品质量的下降。因此，本领域技术人员提供了一种晶片加工机台的基座，以解决上述背景技术中提出的问题。

发明内容

本实用新型的目的在于提供一种晶片加工机台的基座，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：

一种晶片加工机台的基座，包括基座，所述基座的竖直截面为上窄下宽的梯形，基座的上方两侧均设有支柱一，支柱一的上侧安装有外壳体，支柱一朝基座内侧设有电动伸缩杆，电动伸缩杆的活动杆顶部连接有卡块，卡块滑动连接有活动块，两活动块之间固定设有置物台，置物台的上侧设有通孔，通孔的外侧设有螺旋凹槽，所述置物台的两侧与通孔连接有进气口一、进气口二、出气口一和出气口二，置物台一侧上方与进气口一连接有进气管，置物台一侧上方与进气口二连接有集气管，所述活动块远离卡块的一侧位于置物台的下方设有齿条，齿条连接有齿轮，齿轮转动连接有梯形支柱，梯形支柱的底面固定连接在基座上，基座的上方位于置物台的下方设有链轮，链轮连接有减速电机，链轮通过两链条转动连接两齿轮。

作为本实用新型进一步的方案：所述卡块与活动块的接触面为倾斜，且活动块的竖直截面为直角梯形，上宽下窄，活动块的顶部与置物台的顶部平齐，增大接触面积，分散作用力，使得卡块卡的更牢固。

作为本实用新型再进一步的方案：所述通孔的上侧为开口，使得气流直接与晶片接触，同时提供支撑。

作为本实用新型再进一步的方案：所述进气口一、进气口二与进气管通过置物台相通，出气口一、出气口二和集气管通过置物台相通，用于气体的充分逸散。

作为本实用新型再进一步的方案：所述链轮设有同轴设有两个，分别连接齿轮，使得两齿轮的转动方向相同，从而带动活动块上下运动。