[实用新型]一种低成本光探测器有效
| 申请号： | 201921275908.8 | 申请日： | 2019-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN210040213U | 公开（公告）日： | 2020-02-07 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 金华伏安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0236 | 分类号： | H01L31/0236;H01L31/0392;H01L31/108 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 322200 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属层 本实用新型 砂纸 透明电极层 磨砂颗粒 凸起 光吸收效率 半导体层 光探测器 连接电极 微纳结构 依次设置 电极 低成本 电流表 电压源 热电子 制备 | ||
【权利要求书】：
1.一种低成本光探测器，包括从下往上依次设置的金属层、半导体层、透明电极层，在所述金属层和所述透明电极层上分别连接电极，两电极间连接电压源和电流表，其特征在于：还包括设置在所述金属层下面的砂纸。
2.如权利要求1所述的低成本光探测器，其特征在于：所述砂纸包括从下往上依次设置的基层、粘胶层、磨砂颗粒。
3.如权利要求2所述的低成本光探测器，其特征在于：所述金属层的材料为金或银。
4.如权利要求3所述的低成本光探测器，其特征在于：所述砂纸的目数大于1000。
5.如权利要求4所述的低成本光探测器，其特征在于：所述金属层的厚度小于1微米。
6.如权利要求5所述的低成本光探测器，其特征在于：所述半导体层的材料为氧化锌。
7.如权利要求6所述的低成本光探测器，其特征在于：所述半导体层的厚度小于200纳米。
8.如权利要求6所述的低成本光探测器，其特征在于：所述透明电极层的材料为ITO或石墨烯。
9.如权利要求1所述的低成本光探测器，其特征在于：在所述金属层的下面还设有二氧化硅层。
10.如权利要求9所述的低成本光探测器，其特征在于：所述二氧化硅层的厚度小于1微米。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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