[实用新型]一种带热滞回功能的低功耗过温保护电路

权利要求书

1.一种带热滞回功能的低功耗过温保护电路，其特征在于：包括温度检测电路、基准电压电路、电压比较器电路、热滞回电路和输出级电路，温度检测电路与电压比较器电路负端相连，电压比较器电路与输出级电路相连，输出级电路与热滞回电路相连，热滞回电路与基准电压电路相连，基准电压电路与电压比较器电路正端相连。

2.根据权利要求1所述的一种带热滞回功能的低功耗过温保护电路，其特征在于：温度检测电路包括增强型PMOS管M1和PNP管M3，增强型PMOS管M1的源极与电源VDD相连，栅极与偏置电压Vbias相连，漏极与PNP管M3的集电极相连，PNP管M3的基极和发射极与地GND相连。

3.根据权利要求1所述的一种带热滞回功能的低功耗过温保护电路，其特征在于：基准电压电路包括增强型PMOS管M2、电阻R1和电阻R2，增强型PMOS管M2的源极与电源VDD相连，栅极与偏置电压Vbias相连，漏极与电阻R1相连，电阻R1与电阻R2串联，串联后的电阻R2另一端与地GND相连。

4.根据权利要求3所述的一种带热滞回功能的低功耗过温保护电路，其特征在于：电压比较器包括增强型PMOS管M4、增强型PMOS管M5、增强型PMOS管M6、增强型NMOS管M7、增强型NMOS管M8、增强型PMOS管M9和增强型NMOS管M10，增强型PMOS管M4的栅极与偏置电压Vbias相连，源级与电源VDD相连，漏极分别与增强型PMOS管M5和增强型PMOS管M6的源级相连，增强型PMOS管M5的栅极与增强型PMOS管M1的漏极相连，漏极与增强型NMOS管M7的漏极相连，增强型NMOS管M7的漏极与栅极相连，源级与地GND相连，增强型PMOS管M6的栅极与增强型PMOS管M2的漏极相连，漏极与增强型NMOS管M8的漏极相连，增强型NMOS管M8的栅极与增强型NMOS管M7的栅极相连，源级与地GND相连，增强型PMOS管M9的栅极与偏置电压Vbias相连，源级与电源VDD相连，漏极与增强型NMOS管M10的漏极相连，增强型NMOS管M10的栅极分别与增强型PMOS管M6和增强型NMOS管M8的漏极相连，源级与地GND相连。

5.根据权利要求3所述的一种带热滞回功能的低功耗过温保护电路，其特征在于：热滞回电路包括增强型NMOS管M15，增强型NMOS管M15的漏极连接到电阻R1和电阻R2的串接点，栅极分别与增强型PMOS管M13的漏极和增强型NMOS管M14的栅极相连，源级与地GND相连。

6.根据权利要求4所述的一种带热滞回功能的低功耗过温保护电路，其特征在于：输出级电路包括增强型PMOS管M11、增强型NMOS管M12、增强型PMOS管M13和增强型NMOS管M14，增强型PMOS管M11的栅极与增强型NMOS管M12的栅极相连，源极与电源VDD相连，漏极分别与增强型NMOS管M12的漏极和增强型PMOS管M13的栅极相连，NMOS管M12的源极与地GND相连，增强型PMOS管M13的栅极与NMOS管M14的栅极相连，源级与电源VDD相连，漏极与NMOS管M14的漏极相连，NMOS管M14的源极与地GND相连，漏极输出信号。