[实用新型]一种带热滞回功能的低功耗过温保护电路

说明书

本实用新型公开了一种带热滞回功能的低功耗过温保护电路，包括温度检测电路、基准电压电路、电压比较器电路、热滞回电路和输出级电路，温度检测电路与电压比较器电路负端相连，电压比较器电路与输出级电路相连，输出级电路与热滞回电路相连，热滞回电路与基准电压电路相连，基准电压电路与电压比较器电路正端相连。本实用新型增加带热滞回电路的低功耗过温保护电路，电路结构简单功耗低，占用芯片面积小，并且能实现热滞回功能；解决了现有技术的过温保护电路功耗过大、在过热点附件会产生热振荡和引起误操作等技术问题，并且减小了工艺难度和降低了成本。

技术领域

本实用新型涉及一种带热滞回功能的低功耗过温保护电路，属于集成电源技术领域。

背景技术

随着集成电路的不断发展，集成电路的集成度不断增大，造成集成电路功耗不断增加，功耗的不断增加会造成温度的不断上升，会对集成电路的可靠性产生影响，因此在一些大功率的电源模块，过温保护非常重要。

传统的过温保护电路如图2所示，三极管M1的VBE1具有负温度系数，而齐纳二极管DZ的VZ具有正温度系数。在常温下，VBE3小于三极管M3的导通电压，三极管M3不导通，输出电压VOUT为高电平，当温度升高到一定值时，VZ增加，三极管M1的VBE1减小，使VB3增加，当温度升高到一定值时，三极管M3导通，使输出OUT翻转，变成低电平。但是在稳定电压大于7V时齐纳二极管才具有正的温度系数，在CMOS工艺中很难产生这么高的电压，更重要的是在该过热保护电路功耗很大，偏离了低功耗的发展趋势，并且在过热点附件会产生热振荡，会引起误操作。

发明内容

本实用新型要解决的技术问题是：提供一种带热滞回功能的低功耗过温保护电路，以解决现有技术的过温保护电路功耗过大、在过热点附件会产生热振荡和引起误操作等技术问题，并且减小了工艺难度、降低了成本。

本实用新型采取的技术方案为：一种带热滞回功能的低功耗过温保护电路，包括温度检测电路、基准电压电路、电压比较器电路、热滞回电路和输出级电路，温度检测电路与电压比较器电路负端相连，电压比较器电路与输出级电路相连，输出级电路与热滞回电路相连，热滞回电路与基准电压电路相连，基准电压电路与电压比较器电路正端相连。

优选的，上述温度检测电路包括增强型PMOS管M1和PNP管M3，增强型PMOS管M1的源极与电源VDD相连，栅极与偏置电压Vbias相连，漏极与PNP管M3的集电极相连，PNP管M3的基极和发射极与地GND相连。

优选的，上述基准电压电路包括增强型PMOS管M2、电阻R1和电阻R2，增强型PMOS管M2的源极与电源VDD相连，栅极与偏置电压Vbias相连，漏极与电阻R1相连，电阻R1与电阻R2串联，串联后的电阻R2另一端与地GND相连。

优选的，上述电压比较器包括增强型PMOS管M4、增强型PMOS管M5、增强型PMOS管M6、增强型NMOS管M7、增强型NMOS管M8、增强型PMOS管M9和增强型NMOS管M10，增强型PMOS管M4的栅极与偏置电压Vbias相连，源级与电源VDD相连，漏极分别与增强型PMOS管M5和增强型PMOS管M6的源级相连，增强型PMOS管M5的栅极与增强型PMOS管M1的漏极相连，漏极与增强型NMOS管M7的漏极相连，增强型NMOS管M7的漏极与栅极相连，源级与地GND相连，增强型PMOS管M6的栅极与增强型PMOS管M2的漏极相连，漏极与增强型NMOS管M8的漏极相连，增强型NMOS管M8的栅极与增强型NMOS管M7的栅极相连，源级与地GND相连，增强型PMOS管M9的栅极与偏置电压Vbias相连，源级与电源VDD相连，漏极与增强型NMOS管M10的漏极相连，增强型NMOS管M10的栅极分别与增强型PMOS管M6和增强型NMOS管M8的漏极相连，源级与地GND相连。

优选的，上述热滞回电路包括增强型NMOS管M15，增强型NMOS管M15的漏极连接到电阻R1和电阻R2的串接点，栅极分别与增强型PMOS管M13的漏极和增强型NMOS管M14的栅极相连，源级与地GND相连。