[实用新型]芯片封装结构

说明书

本实用新型涉及一种芯片封装结构，包括基板、引线框架、封装体和第一引线。引线框架设置在基板上，引线框架具有分离的第一焊盘和第二焊盘。封装体覆盖基板和引线框架。第一引线电连接引线框架的第一焊盘的第一触点和第二焊盘的第二触点，其中第一引线具有偏离第一触点和第二触点的连线的第一弯曲部以及从第一弯曲部末端向第二触点下降的第一下坡延伸部。本实用新型的芯片封装结构通过将经过透镜部的引线设置成具有一水平方向的弯曲部，从而绕开透镜部，使得引线不会外漏而且无需明显降低线弧高度，从而不会有应力很大的薄弱位置。

技术领域

本实用新型涉及一种芯片封装结构，尤其是涉及一种引线特别设计的芯片封装结构。

背景技术

在使用引线接合(wire bonding)的芯片封装结构中，引线的走线受到诸多限制。以一种芯片封装结构为例，在封装体上具有高度较低的透镜部，而引线需要经过此透镜部。为了防止引线在透镜部处外漏，需要将引线的线弧高度降低。然而简单地降低引线的高度，会导致引线的局部位置应力很大，使得该处变得薄弱而容易折断。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是提供一种芯片封装结构，可以缓解引线的局部位置应力变大的问题。

本实用新型为解决上述技术问题而采用的技术方案是一种芯片封装结构，包括基板、引线框架、封装体和第一引线。引线框架设置在所述基板上，所述引线框架具有分离的第一焊盘和第二焊盘。封装体覆盖所述基板和引线框架。第一引线电连接所述引线框架的第一焊盘的第一触点和第二焊盘的第二触点，其中所述第一引线具有偏离所述第一触点和所述第二触点的连线的第一弯曲部以及从所述第一弯曲部末端向所述第二触点下降的第一下坡延伸部。

在本实用新型的一实施例中，所述封装体具有透镜部，其中所述第一下坡延伸部绕过所述透镜部。

在本实用新型的一实施例中，所述第一弯曲部包括上扬弯曲部和下降弯曲部。

在本实用新型的一实施例中，所述第一引线还包括连接在所述第一弯曲部和所述第一触点之间的垂直上升部。

在本实用新型的一实施例中，芯片封装结构还包括发光芯片，设置在所述引线框架的第一焊盘上，其中所述透镜部为位于所述芯片上方的凹透镜。

在本实用新型的一实施例中，所述上扬弯曲部和下降弯曲部之间为所述第一引线的最高点。

在本实用新型的一实施例中，所述第一触点和所述第二触点的连线与基准线的夹角为锐角，其中所述第一弯曲部相对于所述基准线的偏移量为100～150μm。

在本实用新型的一实施例中，所述第一弯曲部在所述基准线上的投影的长度200-250μm。

在本实用新型的一实施例中，所述第一引线的高度为发光芯片的高度的1/2～2/3，所述第一引线的最高点相对于所述基板上表面的高度为100-135μm。

在本实用新型的一实施例中，芯片封装结构还包括第二引线，电连接所述引线框架的第一焊盘的第三触点和第三焊盘的第四触点，其中所述第二引线具有偏离所述第三触点和所述第三触点的连线的第二弯曲部以及从所述弯曲部末端向所述第二触点下降的第二下坡延伸部，所述第二引线与所述第一引线相邻且偏离方向相同。

本实用新型的芯片封装结构，通过将经过透镜部的引线设置成具有一拐角的水平弯曲部，从而绕开透镜部，使得引线经过透镜部附近时不会外漏。而且引线无需明显降低线弧高度，从而不会有应力很大的薄弱位置，从而不容易折断。

附图说明

为让本实用新型的上述目的、特征和优点能更明显易懂，以下结合附图对本实用新型的具体实施方式作详细说明，其中：

图1是根据本实用新型一实施例的芯片封装结构的立体图。