[实用新型]一种半导体老化测试设备泄压保护结构

权利要求书

1.一种半导体老化测试设备泄压保护结构，其特征在于：包括用于驱动热阵列(1)动作靠近测试板的压缩空气支路Ⅰ，以及用于驱动热阵列(1)动作并最终接触测试板的压缩空气支路Ⅱ；所述压缩空气支路Ⅰ和压缩空气支路Ⅱ均与设备压力源(2)连接，且压缩空气支路Ⅰ和压缩空气支路Ⅱ上均设置有压力调节器(3)、调节泄压阀(4)、电磁阀(5)和用于上述热阵列(1)的动作执行单元(6)；所述调节泄压阀(4)包括可设定泄压阈值、且通过适配器和三通接头设置在气路上的泄压阀。

2.如权利要求1所述的一种半导体老化测试设备泄压保护结构，其特征在于：所述调节泄压阀(4)在气路上设置在压力调节器(3)和电磁阀(5)之间。

3.如权利要求1所述的一种半导体老化测试设备泄压保护结构，其特征在于：所述动作执行单元(6)为与电磁阀(5)连接、通过充气膨胀驱动所述热阵列(1)动作靠近和/或最终接触测试板的气囊。

4.如权利要求1、2或3所述的一种半导体老化测试设备泄压保护结构，其特征在于：所述电磁阀(5)的最大通气阈值为30PSI。

5.如权利要求1或2所述的一种半导体老化测试设备泄压保护结构，其特征在于：所述调节泄压阀(4)，其三通接头设置在气路上，所述泄压阀通过适配器连接在所述三通接头上。

6.如权利要求5所述的一种半导体老化测试设备泄压保护结构，其特征在于：所述调节泄压阀(4)包括底部用于与三通接头连接的底座(4.1)，底座(4.1)上设置有带有球型阀芯(4.3)的阀体(4.2)，阀体(4.2)内设置有弹性阀盖(4.4)。

7.如权利要求5所述的一种半导体老化测试设备泄压保护结构，其特征在于：所述泄压阀的泄压阈值设定为24PSI。

8.如权利要求1所述的一种半导体老化测试设备泄压保护结构，其特征在于：所述设备压力源(2)的初始压力为110PSI，对应的，所述压力调节器(3)的压力调节范围为0～110PSI。

9.如权利要求6所述的一种半导体老化测试设备泄压保护结构，其特征在于：所述压缩空气支路Ⅰ和压缩空气支路Ⅱ上的压力调节器(3)之间开闭互锁，所述压缩空气支路Ⅰ上的压力调节器(3)的压力调节值为12.4PSI，所述压缩空气支路Ⅱ上的压力调节器(3)的压力调节值为8.0PSI。