[实用新型]三相整流电路及电源

权利要求书

1.一种三相整流电路，其特征在于，包括：六个桥臂支路、电性连接的第一电容和第二电容、三个电感组；

其中，每个所述桥臂支路包括：第一整流二极管、第二整流二极管、第三整流二极管、第四整流二极管、第一开关器件和第二开关器件；所述第一整流二极管的正极与所述第二整流二极管的负极连接，所述第一整流二极管的负极与所述第三整流二极管的正极连接，所述第三整流二极管的负极与所述第一电容的第一端连接，所述第一整流二极管的负极还通过所述第一开关器件与所述第一电容的第二端连接；所述第二整流二极管的正极与所述第四整流二极管的负极连接，所述第四整流二极管的正极与所述第二电容的第二端连接，所述第二整流二极管的正极还通过所述第二开关器件与所述第二电容的第一端连接；

每个所述电感组对应两个桥臂支路，每个所述电感组包括输入电感和耦合电感，其中，所述耦合电感的输入端通过所述输入电感连接三相电中的一相，所述耦合电感的第一输出端与其中一个所述桥臂支路中的所述第一整流二极管的正极连接，所述耦合电感的第二输出端与另一个所述桥臂支路中的所述第一整流二极管的正极连接。

2.根据权利要求1所述的三相整流电路，其特征在于，每个所述桥臂支路中，所述第一整流二极管和所述第二整流二极管为低频整流二极管，所述第三整流二极管和所述第四整流二极管为高频整流二极管。

3.根据权利要求1或2任一项所述的三相整流电路，其特征在于，所述第一开关器件和所述第二开关器件为金属-氧化物半导体场效应晶体管MOSFET或IGBT。

4.根据权利要求1或2任一项所述的三相整流电路，其特征在于，所述第一开关器件和所述第二开关器件为SiC MOSFET或GaN MOSFET。

5.根据权利要求1或2任一项所述的三相整流电路，其特征在于，同一个所述桥臂支路中的所述第一开关器件和所述第二开关器件对应的驱动信号相同。

6.根据权利要求5所述的三相整流电路，其特征在于，其中一个所述桥臂支路中的第一开关器件和第二开关器件对应第一驱动信号，相邻的所述桥臂支路中的第一开关器件和第二开关器件对应第二驱动信号，所述第一驱动信号和所述第二驱动信号的相位相差180度。

7.根据权利要求5所述的三相整流电路，其特征在于，其中一个所述桥臂支路中的第一开关器件和第二开关器件对应第一驱动信号，相邻的所述桥臂支路中的第一开关器件和第二开关器件对应第二驱动信号，所述第一驱动信号和所述第二驱动信号的占空比相同。

8.根据权利要求1或2所述的三相整流电路，其特征在于，每个所述电感组中的所述输入电感和所述耦合电感共用一个磁芯组。

9.根据权利要求8所述的三相整流电路，其特征在于，每个所述电感组包括所述磁芯组、第一线圈和第二线圈，所述磁芯组包括第一磁芯和第二磁芯，所述第一磁芯和所述第二磁芯均为E型磁芯，所述第一磁芯的三个磁柱与所述第二磁芯的三个磁柱相对设置；

所述第一线圈绕设在所述第一磁芯的第一磁柱和所述第二磁芯的第一磁柱上，所述第二线圈绕设在所述第一磁芯的第二磁柱和所述第二磁芯的第二磁柱上；所述第一线圈靠近所述第一磁芯的一端与所述第二线圈靠近所述第一磁芯的一端连接形成所述输入电感的输入端，所述第一线圈的另一端形成所述耦合电感的第一输出端，所述第二线圈的另一端形成所述耦合电感的第二输出端。