[实用新型]三相整流电路及电源

说明书

本实用新型实施例提供的三相整流电路及电源，三相整流电路中包括：六个桥臂支路、电性连接的第一电容和第二电容、三个电感组；其中，每个所述桥臂支路包括：第一整流二极管、第二整流二极管、第三整流二极管、第四整流二极管、第一开关器件和第二开关器件；每个电感组包括输入电感和耦合电感。本实施例中，通过采用耦合电感以及两路交错并联的结构，使得电路中的各器件的电压应力可以选择较低值，有利于整体成本的降低。

技术领域

本实用新型涉及电路技术领域，尤其涉及一种三相整流电路及电源。

背景技术

三相整流电路在大功率电源模块中应用广泛。三相整流电路对于以交流电源作为电源而使用直流电压工作的电子设备(诸如计算机服务器或者工作站)而言是至关重要的。此外，其他的既使用直流电源又使用可充电电池作为电源的电子设备也需要三相整流电路。

图1A为一种现有的三相整流电路的结构示意图。图1B至图1D为图1A中开关的结构示意图。如图1A所示，L1、L2和L3为电感，T1、T2 和T3为耦合电感，D1至D12为高频二极管，K1至K6为开关。其中，开关K1至K6可以采用如图1B、图1C或者图1D所示的电路结构。

图1A所示的三相整流电路中，对于三相380Vac(线电压)输入系统来说，母线+BUS与-BUS间电压可为660-850V，因此，高频二极管D1 至D12的电压超过600V，需要用到1200V电压应力的二极管，导致三相整流电路的成本较高。

实用新型内容

本实用新型实施例提供一种三相整流电路及电源，用以降低三相整流电路的成本。

第一方面，本实用新型实施例提供的三相整流电路，包括：六个桥臂支路、电性连接的第一电容和第二电容、三个电感组；

其中，每个所述桥臂支路包括：第一整流二极管、第二整流二极管、第三整流二极管、第四整流二极管、第一开关器件和第二开关器件；所述第一整流二极管的正极与所述第二整流二极管的负极连接，所述第一整流二极管的负极与所述第三整流二极管的正极连接，所述第三整流二极管的负极与所述第一电容的第一端连接，所述第一整流二极管的负极还通过所述第一开关器件与所述第一电容的第二端连接；所述第二整流二极管的正极与所述第四整流二极管的负极连接，所述第四整流二极管的正极与所述第二电容的第二端连接，所述第二整流二极管的正极还通过所述第二开关器件与所述第二电容的第一端连接；

每个所述电感组对应两个桥臂支路，每个所述电感组包括输入电感和耦合电感，其中，所述耦合电感的输入端通过所述输入电感连接三相电中的一相，所述耦合电感的第一输出端与其中一个所述桥臂支路中的所述第一整流二极管的正极连接，所述耦合电感的第二输出端与另一个所述桥臂支路中的所述第一整流二极管的正极连接。

可选的，每个所述桥臂支路中，所述第一整流二极管和所述第二整流二极管为低频整流二极管，所述第三整流二极管和所述第四整流二极管为高频整流二极管。

可选的，所述第一开关器件和所述第二开关器件为金属-氧化物半导体场效应晶体管MOSFET或IGBT。

可选的，所述第一开关器件和所述第二开关器件为SiC MOSFET或GaN MOSFET。

可选的，同一个所述桥臂支路中的所述第一开关器件和所述第二开关器件对应的驱动信号相同。

可选的，其中一个所述桥臂支路中的第一开关器件和第二开关器件对应第一驱动信号，相邻的所述桥臂支路中的第一开关器件和第二开关器件对应第二驱动信号，所述第一驱动信号和所述第二驱动信号的相位相差 180度。

可选的，其中一个所述桥臂支路中的第一开关器件和第二开关器件对应第一驱动信号，相邻的所述桥臂支路中的第一开关器件和第二开关器件对应第二驱动信号，所述第一驱动信号和所述第二驱动信号的占空比相同。