[实用新型]一种LED芯片有效
| 申请号： | 201921349390.8 | 申请日： | 2019-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN210156418U | 公开（公告）日： | 2020-03-17 |
| 发明（设计）人： | 崔永进;王硕;张状;庄家铭 | 申请（专利权）人： | 佛山市国星半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 胡枫;李素兰 |
| 地址： | 528200 广东省佛山市南海区狮*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 led 芯片 | ||
1.一种LED芯片，包括衬底，依次设于衬底上的第一半导体层、有源层、第二半导体层，第一电极和第二电极，其特征在于，还包括裸露区域和n个孔洞，n≥2，所述裸露区域从第二半导体层刻蚀至第一半导体层，以将第一半导体层裸露出来，n个孔洞均位于第一半导体层内，第1个孔洞位于裸露区域的下方，且与裸露区域连通，第n个孔洞位于第(n-1)个孔洞的下方，且与第(n-1)个孔洞连通，n个孔洞形成阶梯结构，第1个孔洞的直径到第n个孔洞的直径依次递减，所述第一电极设置在裸露出来的第一半导体层上并延伸至n个孔洞内，所述第二电极设置在第二半导体层上。
2.如权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，裸露区域和n个孔洞的总深度为0.7～1.5μm。
3.如权利要求2所述的LED芯片，其特征在于，第1个孔洞的深度为(0.06～0.1)*nμm，第2个孔洞的深度为(0.06～0.1)*(n-1)μm，第n个孔洞的深度为(0.06～0.1)*1μm。
4.如权利要求3所述的LED芯片，其特征在于，第1个孔洞的深度为0.08*nμm，第2个孔洞的深度为0.08*(n-1)μm，第n个孔洞的深度为0.08*1μm。
5.如权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述孔洞的侧壁与底部形成一倾斜角度，所述倾斜角度为120～150度。
6.如权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述第一电极包括第一金属层和第二金属层，所述第一金属层设置在第一半导体层上并填充在孔洞内，所述第二金属层覆盖在第一金属层上，将第一金属层裸露出来的部分包裹，第一金属层的润湿性小于第二金属层的润湿性。
7.如权利要求6所述的LED芯片，其特征在于，所述第一金属层的结构为Cr/Cu/Co/Zn/Pt。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于佛山市国星半导体技术有限公司，未经佛山市国星半导体技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201921349390.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
