[实用新型]一种LED芯片

说明书

本实用新型公开了一种LED芯片，包括衬底，依次设于衬底上的第一半导体层、有源层、第二半导体层，第一电极和第二电极，还包括裸露区域和n个孔洞，n≥2，n个孔洞形成阶梯结构，第1个孔洞的直径到第n个孔洞的直径依次递减，所述第一电极设置在裸露出来的第一半导体层上并延伸至n个孔洞内，所述第二电极设置在第二半导体层上。本实用新型通过n个孔洞来增加第一电极和第一半导体层的接触面积，从而使第一电极与第一半导体层结合得更加牢固，从而提高后续封装打线的可靠性，以及提高芯片的电流扩展能力。

技术领域

本实用新型涉及发光二极管技术领域，尤其涉及一种LED芯片。

背景技术

LED(Light Emitting Diode，发光二极管)是一种利用载流子复合时释放能量形成发光的半导体器件，LED芯片具有耗电低、色度纯、寿命长、体积小、响应时间快、节能环保等诸多优势。

发光二极体目前已经发展成为一个通用的照明，对产品的特性要求也越来越高。一般要求是到亮度、低电压，高可靠性。

图1是现有的LED芯片结构示意图，现有的LED芯片，一般对外延层进行刻蚀，刻蚀至N型GaN层23，以形成裸露区域24，然后在裸露出来的N型GaN层23上形成N电极31。其中，N电极31与N型GaN层23的接触面为平面，接触面积相对较少，不利于电流的扩展。此外，在后续的封装打线中，N电极31容易出现掉电极，可靠性低。

发明内容

本实用新型所要解决的技术问题在于，提供一种LED芯片，增加电极的接触面积和结合力，提高芯片的电流扩展能力，降低芯片电压，以及提高芯片的可靠性。

为了解决上述技术问题，本实用新型提供了一种LED芯片，包括衬底，依次设于衬底上的第一半导体层、有源层、第二半导体层，第一电极和第二电极，还包括裸露区域和n个孔洞，n≥2，所述裸露区域从第二半导体层刻蚀至第一半导体层，以将第一半导体层裸露出来，n个孔洞均位于第一半导体层内，第1个孔洞位于裸露区域的下方，且与裸露区域连通，第n个孔洞位于第(n-1)个孔洞的下方，且与第(n-1)个孔洞连通，n个孔洞形成阶梯结构，第1个孔洞的直径到第n个孔洞的直径依次递减，所述第一电极设置在裸露出来的第一半导体层上并延伸至n个孔洞内，所述第二电极设置在第二半导体层上。

作为上述方案的改进，所述裸露区域和n个孔洞的总深度为0.7～1.5μm。

作为上述方案的改进，第1个孔洞的深度为(0.06～0.1)*nμm，第2个孔洞的深度为(0.06～0.1)*(n-1)μm，第n个孔洞的深度为(0.06～0.1)*1μm。

作为上述方案的改进，第1个孔洞的深度为0.08*nμm，第2个孔洞的深度为0.08*(n-1)μm，第n个孔洞的深度为0.08*1μm。

作为上述方案的改进，所述孔洞的侧壁与底部形成一倾斜角度，所述倾斜角度为120～150度。

作为上述方案的改进，所述第一电极包括第一金属层和第二金属层，所述第一金属层设置在第一半导体层上并填充在孔洞内，所述第二金属层覆盖在第一金属层上，将第一金属层裸露出来的部分包裹，第一金属层的润湿性小于第二金属层的润湿性。

作为上述方案的改进，所述第一金属层的结构为Cr/Cu/Co/Zn/Pt。

实施本实用新型，具有如下有益效果：

本实用新型的提供的一种LED芯片，包括衬底，依次设于衬底上的第一半导体层、有源层、第二半导体层，第一电极和第二电极，还包括裸露区域和n个孔洞，n≥2，本实用新型的第一电极不仅与裸露出来的第一半导体层表面结合，而且还通过n个阶梯状结构的孔洞伸入到第一半导体层内，与第一半导体层的内部结合。