[实用新型]一种红外光敏三极管芯片结构有效
| 申请号： | 201921386000.4 | 申请日： | 2019-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN210092111U | 公开（公告）日： | 2020-02-18 |
| 发明（设计）人： | 李星男;江秉闰 | 申请（专利权）人： | 深圳市星华灿科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/11 | 分类号： | H01L31/11;H01L31/0224;H01L31/0352 |
| 代理公司： | 深圳市道勤知酷知识产权代理事务所(普通合伙) 44439 | 代理人： | 何兵;饶盛添 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝安区西乡街*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 红外 光敏 三极管 芯片 结构 | ||
1.一种红外光敏三极管芯片结构，其特征在于，包括：
背金层，形成集电极；
外延片，所述外延片的型号为N<100>，所述外延片包括外延层和外延衬底，所述外延衬底覆盖在所述背金层上，由N型CZ硅单晶制成，所述外延层覆盖在所述外延衬底上，所述外延层的厚度为30-40μm，电阻率为10-16Ω·cm，所述外延层远离外延衬底设有基区和发射区，所述发射区设置在所述基区内；
氧化层，覆盖在所述外延层上，所述氧化层的厚度为
氮化硅膜，覆盖在所述氧化层上，所述氮化硅膜的厚度为折射率为1.9-2.1，所述发射区连接有发射极，所述发射极穿透所述氧化层和所述氮化硅膜向外。
2.根据权利要求1所述的一种红外光敏三极管芯片结构，其特征在于，所述外延层外围设有等位环。
3.根据权利要求1所述的一种红外光敏三极管芯片结构，其特征在于，所述背金层减薄时的保留厚度为280-320μm。
4.根据权利要求1所述的一种红外光敏三极管芯片结构，其特征在于，所述发射极为铝电极。
5.根据权利要求1所述的一种红外光敏三极管芯片结构，其特征在于，所述基区通过预氧化二氧化硅的生长厚度为
6.根据权利要求1所述的一种红外光敏三极管芯片结构，其特征在于，所述基区通过低压力化学气相沉积法二氧化硅的沉积厚度为
7.根据权利要求1所述的一种红外光敏三极管芯片结构，其特征在于，所述发射区的二氧化硅生长厚度为
8.根据权利要求1所述的一种红外光敏三极管芯片结构，其特征在于，所述外延衬底的电阻率为0.005-0.015Ω·cm。
9.根据权利要求1所述的一种红外光敏三极管芯片结构，其特征在于，所述背金层远离所述外延片依次为Ti、Ni、Ag、Sn。
10.根据权利要求9所述的一种红外光敏三极管芯片结构，其特征在于，所述Ti、所述Ni、所述Ag、所述Sn的厚度分别为
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市星华灿科技有限公司，未经深圳市星华灿科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201921386000.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种侧面便拆式直流屏
- 下一篇：一种楼宇对讲装置的安装结构
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
