[实用新型]一种TFT用高纯铝蚀刻液生产装置

说明书

本实用新型公开了一种TFT用高纯铝蚀刻液生产装置，包括底架板和储料桶，所述底架板的顶部中间左侧位置处设置有储料桶，所述储料桶的顶部位置处设置有传输管，所述传输管的顶部位置处与储料桶相对应的位置处设置有抽取泵，所述传输管的前端中间位置处设置有固定架，本实用新型在现有的设备的基础上加装了新型的混合桶，在混合桶内设置有多个导热搅拌棍，导热搅拌棍可以在搅拌的过程中通过工作电机进行加热工作并且可以有效的转动，不仅可以有效的辅助将蚀刻液的生产原料混合在一起，同时可以对蚀刻液原料进行加热工作，有效的提高了蚀刻液的混合生产效率，同时可以有效的提高生产出的蚀刻液的蚀刻工作效率。

技术领域

本实用新型属于蚀刻液相关技术领域，具体涉及一种TFT用高纯铝蚀刻液生产装置。

背景技术

TFT(Thin Film Transistor)是薄膜晶体管的缩写。蚀刻液是通过侵蚀材料的特性来进行雕刻的一种液体，从理论上讲，凡能氧化钢而生成可溶性铜盐的试剂，都可以用来蚀刻敷铜箔板，但权衡对抗蚀层的破坏情况、蚀刻速度，蚀刻系数、溶铜容量、溶液再生及铜的回收、环境保护及经济效果等方面。

现有的TFT用高纯铝蚀刻液生产装置技术存在以下问题：现有的TFT用高纯铝蚀刻液生产装置在生产制造的过程中多简单的通过将TFT用高纯铝蚀刻液的原料混合搅拌在一起，然后通过生产原料之间的相互反应制造产生蚀刻液，不仅生产工作的效率低而且生产出的蚀刻液蚀刻效率较低。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种TFT用高纯铝蚀刻液生产装置以解决上述背景技术中提出的生产效率较低且产品工作效率较低的的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种TFT用高纯铝蚀刻液生产装置包括底架板和储料桶，所述底架板的顶部中间左侧位置处设置有储料桶，所述储料桶的顶部位置处设置有传输管，所述传输管的顶部位置处与储料桶相对应的位置处设置有抽取泵，所述传输管的前端中间位置处设置有固定架，所述传输管的另一端位置处设置在混合桶的顶部左侧位置处，所述混合桶的顶部位置处设置有工作电机，所述底架板的底部位置处设置有脚架。

优选的，所述混合桶包括传动轴、导热搅拌棍、出料口、稳定轴和桶壁，所述桶壁的顶部中间位置处设置有传动轴，所述传动轴的下方位置处设置有稳定轴，所述稳定轴的右侧位置处设置有导热搅拌棍，所述桶壁的右侧中间偏下位置处设置有出料口。

优选的，所述储料桶包括加料口、抽料口、固定块、桶体、滤网和抽料管，所述桶体的顶部中间位置处设置有固定块，所述固定块的中间位置处设置有抽料口，所述桶体的顶部中间偏左位置处设置有加料口，所述固定块的内侧底部中间位置处设置有滤网。

优选的，所述抽取泵共设置有四个，且四个抽取泵的大小和形状均相同，四个所述抽取泵分别设置在传输管的顶部与四个储料桶相对应的位置处。

优选的，所述储料桶共设置有四个，且四个储料桶的大小和形状均相同，四个所述储料桶均匀的设置在底架板的顶部中间位置处。

优选的，所述导热搅拌棍共设置有八个，且八个导热搅拌棍的大小和形状均相同，八个所述导热搅拌棍分别设置在稳定轴的两侧位置处。

优选的，所述高纯铝蚀刻液配方由80％的磷酸(H3PO4)、10％的水 (H2O)、5％的硝酸(N2O5)和5％的醋酸(CH3COOH)所组成。

优选的，所述高纯铝蚀刻液的生产工艺如下：

步骤一、选取原料，原料包括磷酸(H3PO4)、水(H2O)、硝酸(N2O5) 和醋酸(CH3COOH)，使用者在选取原料时选用高纯度无污染的原料进行生产工作；

步骤二、使用者将不同种类的生产原料通过加料口分别加入四个储料桶内；

步骤三、使用者将生产装置和外部工作电源连接，然后使用者启动生产装置进行生产工作；