[实用新型]电感耦合等离子体处理装置

说明书

电感耦合等离子体处理装置包括：至少一个窗口；窗框，支撑至少一个窗口；腔室，收纳窗口和窗框，并以窗框为基准分隔成第一腔室和第二腔室，该第一腔室形成有以真空氛围对基板进行工艺处理的工艺空间，该第二腔室形成有以大气压氛围收纳天线的收纳空间；盖，用于覆盖第二腔室的开放区域，该开放区域用于向收纳空间引入天线或从收纳空间引出天线；多个支架，一侧连接到窗框，另一侧以可结合及可分离方式与盖连接，用于限制窗口和窗框因自重而下垂；多个结合件，从盖的外部贯通盖，能够分别结合于多个支架或从支架解除结合，当通过解除多个结合件的结合而使盖与多个支架分离时，盖从多个支架分离并从第二腔室脱离，以使收纳空间通过开放区域暴露。

技术领域

本实用新型涉及电感耦合等离子体处理装置，更详细涉及通过生成电感耦合等离子体，在工艺空间对基板进行工艺处理的电感耦合等离子体处理装置。

背景技术

基板处理装置一般是对基板进行诸如蚀刻、蒸镀等多种工艺处理的制造装置。根据使用用途，基板处理装置对用于制造半导体的晶片及用于制造显示装置的玻璃(glass)基板进行工艺处理。

在此类基板处理装置的工艺处理中，蚀刻工艺处理是在基板上形成图形等的基板处理工艺，蒸镀工艺处理是在基板的表面形成蒸镀膜的基板处理工艺。在这里，基板处理装置的工艺处理方式根据蚀刻工艺和蒸镀工艺而不同。通常，蚀刻工艺处理使用湿法和干法基板处理装置，近来，主要使用具有蚀刻工艺速度等优点的干法基板处理装置。干法的基板处理装置利用等离子体对基板进行蚀刻工艺处理。利用等离子体的基板处理装置，通常分为电容耦合等离子体处理装置(CCP；Capacitvely Coupled Plasma)和电感耦合等离子体处理装置(ICP；Inductively Coupled Plasma)。

具体地，电容耦合等离子体处理装置利用由于能量与工艺气体的电离而生成的等离子体，该能量是随着磁场加速电子而发生，该磁场形成在基板被工艺处理的工艺空间的内部沿上下方向彼此对置的电极之间。电感耦合等离子体处理装置利用由于能量与工艺气体的电离而生成的等离子体，该能量是由于从天线内流动的电流形成的磁场变化时电子的加速而发生。将电容耦合等离子体处理装置和电感耦合等离子体处理装置作相互对比，则比起电容耦合等离子体处理装置，电感耦合等离子体处理装置具有基板的工艺处理速度相对更快的优点。

另一方面，电感耦合等离子体处理装置包括：天线，被施加高频电源，以便在处理基板的工艺空间内产生电感耦合等离子体；电介质，为绝缘体；框架，支撑电介质。这样的电介质和框架将腔室的内部分隔为用于处理基板的工艺空间和用于收纳天线的收纳空间。实质上，用于收纳天线的收纳空间由盖(lid)形成。盖的内部配置有用于支撑即悬挂(suspending)电介质和框架的支撑梁。

然而，问题在于，由于上述的支撑梁具有从盖的内部中难以分离的结构，为了检修收纳空间，例如，修理或替换天线和修理或替换电介质，作业人员通过盖的内部的狭窄的空间进行修理和替换作业，因此，作业时，不仅危险性增大，而且作业效率下降。

在先技术文献

专利文献

美国授权专利公报第6,331,754号：INDUCTIVELY-COUPLED-PLASMA-PROCESSINGAPPARATUS

实用新型内容

技术问题

本实用新型的目的是提供一种电感耦合等离子体处理装置，其通过改善用于收纳天线并配置窗口和窗框的腔室的开闭结构，可节省维修费用并提高检修效率。

技术方案