[实用新型]整体密封型钼导流筒内衬

说明书

本实用新型提供一种整体密封型钼导流筒内衬，包括内衬筒Ⅰ和内衬筒Ⅱ，内衬筒Ⅰ和内衬筒Ⅱ连接处形成拼接缝隙，内衬筒Ⅰ和内衬筒Ⅱ通过密封连接环连接，密封连接环与内衬筒Ⅰ和内衬筒Ⅱ连接处表面贴合对拼接缝隙进行全部遮挡而实现内衬筒Ⅰ和内衬筒Ⅱ的无缝对接，密封连接环是通过一体冲压成型的薄片环形结构。本实用新型在不改变原有平面型或凹凸型导流筒功能的基础上，通过密封连接环对钼导流筒内衬的拼接缝隙进行全部遮挡，不仅实现钼导流筒内衬的无缝对接，消除两筒对接间隙，防止钼导流筒内碳毡碎屑析出炉内而污染硅原料，提高产品质量，而且还能够很好的提高钼导流筒刚性，防止变形。

技术领域

本实用新型属于导流筒技术领域，具体涉及一种整体密封型钼导流筒内衬。

背景技术

单晶硅生长炉是制备硅单晶材料的主要设备，其内部的石墨热场保证了硅单晶的稳定生长，导流筒是组成石墨热场的一部分，在硅单晶生长过程中起到了非常重要的作用。导流筒内衬主要用于石墨内导流筒内侧，目前行业内使用的导流筒内衬主要有两种结构类型：平面式和凹凸式。导流筒内衬大都是由两个筒连接而成，一般由一个直筒和一个锥筒连接，直筒和锥筒连接处形成拼接间隙，现有直筒和锥筒连接方式采用铆接条连接，这种连接方式不能使拼接间隙密封，从而容易造成碳毡碎屑从拼接间隙析出进入炉内，污染硅原料，降低单晶硅质量。另外，现有的钼导流筒内衬一般都是采用薄钼板制成，由于板厚度小，所以两个内衬筒连接后刚性差，容易变形。因此针对上述现有技术所存在的缺点提出改进。

实用新型内容

本实用新型解决的技术问题：提供一种整体密封型钼导流筒内衬，本实用新型在不改变原有平面型或凹凸型导流筒功能的基础上，通过密封连接环对内衬筒的拼接缝隙进行全部遮挡，不仅实现上下变径锥筒或直筒的内衬筒的无缝对接，消除内衬筒对接间隙，防止钼导流筒内碳毡碎屑析出炉内而污染硅原料，提高产品质量，而且能够有效防止钼导流筒变形。

本实用新型采用的技术方案：整体密封型钼导流筒内衬，包括内衬筒Ⅰ和内衬筒Ⅱ，所述内衬筒Ⅰ和内衬筒Ⅱ连接处形成拼接缝隙，所述内衬筒Ⅰ和内衬筒Ⅱ通过密封连接环连接，所述密封连接环与内衬筒Ⅰ和内衬筒Ⅱ连接处表面贴合对拼接缝隙进行全部遮挡而实现内衬筒Ⅰ和内衬筒Ⅱ的无缝对接，所述密封连接环是通过一体冲压成型的薄片环形结构。

对上述技术方案的优选方式，当所述内衬筒Ⅰ为直筒型结构，所述内衬筒Ⅱ为锥筒结构时，所述密封连接环则由与直筒型的内衬筒Ⅰ适配的直筒密封环和与锥筒型的内衬筒Ⅱ适配的锥筒型密封环组成，所述直筒密封环和锥筒型密封环形成的密封连接环是通过冲压一体制成。

对上述技术方案的优选方式，所述密封连接环通过与内衬筒Ⅰ和内衬筒Ⅱ连接处的内表面或外表面贴合对拼接缝隙进行全部遮挡。

对上述技术方案的优选方式，所述密封连接环通过铆接方式与内衬筒Ⅰ和内衬筒Ⅱ固定连接。

对上述技术方案的优选方式，所述密封连接环通过焊接方式与内衬筒Ⅰ和内衬筒Ⅱ固定连接。

对上述技术方案的优选方式，所述密封连接环是采用厚度为1mm的钼板制成。

本实用新型与现有技术相比的优点：

1、本方案是在不改变原有平面型或凹凸型导流筒功能的基础上，通过密封连接环对内衬筒Ⅰ和内衬筒Ⅱ连接处的拼接缝隙进行全部遮挡，从而实现直筒道导流筒内衬或上下变径锥筒导流筒内衬的无缝对接，消除导流筒内衬中的对接间隙，防止钼导流筒内碳毡碎屑析出炉内而污染硅原料，提高产品质量，提高效率，降低成本；

2、本方案中由于密封连接环为一整体环形结构，使用其对两个薄板制成的内衬筒进行连接，能够大大提高钼导流筒的刚性，减小钼导流筒的变形。

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图；

图2为本实用新型中密封连接环的结构示意图。