[实用新型]一种超结功率半导体器件有效
| 申请号： | 201921422126.2 | 申请日： | 2019-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN210156383U | 公开（公告）日： | 2020-03-17 |
| 发明（设计）人： | 朱袁正;李宗清 | 申请（专利权）人： | 无锡新洁能股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良;陈丽丽 |
| 地址： | 214131 江苏省无锡市滨湖区高浪东路999号*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 功率 半导体器件 | ||
1.一种超结功率半导体器件，包括：半导体基板，所述半导体基板包括第一导电类型衬底及位于所述第一导电类型衬底上的第一导电类型漂移区，所述第一导电类型漂移区背离所述第一导电类型衬底的表面为所述半导体基板的第一主面，所述第一导电类型衬底背离所述第一导电类型漂移区的表面为所述半导体基板的第二主面，其特征在于，
所述第一导电类型漂移区内设置有超结结构，所述超结结构包括第一导电类型柱、第二导电类型第一柱和第二导电类型第二柱，所述第一导电类型柱、第二导电类型第一柱和第二导电类型第二柱均沿所述第一主面指向所述第二主面的方向延伸，每个所述第二导电类型第二柱的两侧均与所述第二导电类型第一柱相邻，且被所述第一导电类型柱间隔，所述第二导电类型第一柱和所述第二导电类型第二柱电性连接；
所述第二导电类型第一柱上设置有第二导电类型体区，且所述第二导电类型体区位于所述第一导电类型漂移区内；
所述第二导电类型体区的上方设置有第一栅电极，所述第一栅电极被栅介质层和第二绝缘介质层包围，所述第二导电类型第二柱上方设置有第二栅电极，所述第二栅电极被第一绝缘介质层和第二绝缘介质层包围，所述第一栅电极和所述第二栅电极被所述第二绝缘介质层间隔且电性连接，所述第一绝缘介质层的厚度不小于所述栅介质层的厚度。
2.根据权利要求1所述的超结功率半导体器件，其特征在于，所述第一绝缘介质层设置在所述第二导电类型第二柱上方且与所述第二导电类型第二柱接触。
3.根据权利要求1所述的超结功率半导体器件，其特征在于，所述第二导电类型体区内设置有第一导电类型源区，所述第二绝缘介质层上设置源极金属，所述第二导电类型体区和所述第一导电类型源区与所述源极金属之间均为欧姆接触。
4.根据权利要求1所述的超结功率半导体器件，其特征在于，所述第二主面上设置漏极金属，所述第一导电类型衬底与所述漏极金属之间欧姆接触。
5.根据权利要求1所述的超结功率半导体器件，其特征在于，所述第一导电类型漂移区背离所述第一主面的表面与所述第一导电类型衬底背离所述第二主面的表面接触。
6.根据权利要求1至5中任意一项所述的超结功率半导体器件，其特征在于，所述第一栅电极包括平面栅电极或沟槽栅电极。
7.根据权利要求1至5中任意一项所述的超结功率半导体器件，其特征在于，所述第二导电类型第一柱的数量不小于第二导电类型第二柱的数量。
8.根据权利要求1至5中任意一项所述的超结功率半导体器件，其特征在于，所述超结功率半导体器件包括N型超结功率半导体器件和P型超结功率半导体器件，当所述超结功率半导体器件为所述N型超结功率半导体器件时，第一导电类型为N型，第二导电类型为P型，当所述超结功率半导体器件为所述P型超结功率半导体器件时，第一导电类型为P型，第二导电类型为N型。
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