[实用新型]集成电路和半导体晶片

说明书

本公开的实施例涉及一种集成电路和半导体晶片。该集成电路包括存储器单元，该存储器单元包含反熔丝器件。该反熔丝器件包括状态晶体管，其具有控制栅级和被配置为浮置的第二栅极。选择性地断开控制栅级和第二栅极之间的介电层，以便在反熔丝器件上赋予击穿状态，其中第二栅极电耦合至控制栅级，用于存储第一逻辑状态。否则，反熔丝器件处于非被击穿状态，用于存储第二逻辑状态。

技术领域

实施例涉及集成电路，特别地，涉及集成的反熔丝器件，并且更特别地，涉及保护集成电路免受逆向工程，例如保护存储器-存储集成电路免受通过探针进行的攻击。

背景技术

集成电路，特别是那些设置有包含敏感信息的存储器的集成电路，必须在最大可能的程度上被保护以免受逆向工程操作的影响，特别是免受那些旨在揭露存储数据的操作的影响。

存储数据可以是例如二进制信息，并且可以被存储在包含两个端子的反熔丝器件上，反熔丝器件可以处于被击穿(或者接通)状态，以代表第一二进制值，或者处于非被击穿(或者断开)状态，以代表数据的第二二进制值。

可能的攻击可以通过以下方式执行，在将集成电路减薄以尽可能地接近反熔丝器件后，以便测量反熔丝器件的两个端子之间的电阻，并且以这种方式得知其状态。

存在允许减薄集成电路的操作被检测到并且在已经发生减薄操作的情况下使得存储的数据变得不可读的方案。

虽然这些方案是有效的，但在某些情况下，它们可能很难实现或被绕过。

需要制造一种技术上简单的反熔丝器件结构，特别地当其用于存储器单元时，其易于读取。

实用新型内容

本公开的目的是提供一种集成电路和半导体晶片，以至少部分地解决现有技术中存在的上述问题。

根据一实施例，提出了一种新的反熔丝器件结构，其可以特别地用于数据存储，并且在逆向工程操作的背景下，最特别地是在具有矩阵架构的存储器模块的背景下，对其的分析是复杂的。

根据一方面，提出了一种集成电路，其包括至少一个存储器单元，该至少一个存储器单元包括反熔丝器件，该反熔丝器件包括具有控制栅极和第二栅极的状态晶体管，该第二栅极被配置为处于浮置，以便在该反熔丝器件上赋予非击穿状态，或者电耦合至该控制栅极，以便在该反熔丝器件上赋予击穿状态。

将反熔丝器件并入到双栅极状态晶体管结构(一种具有控制栅极和浮置栅极的结构)中在技术上是简单的，因为本实施例采用了现有的双栅极状态晶体管结构，并且仅需要位于两个栅极之间的介电层被击穿或者不被击穿。

此外，将反熔丝器件与MOS晶体管组合有利地允许通过将晶体管偏置来读取反熔丝器件的状态，从而避免在第二栅极上形成触点。因此，攻击者不可能通过测量两个栅极之间的电阻来实现获知反熔丝器件的状态的目的。

状态晶体管可以包括通过介电材料层分隔开的至少第一多晶硅区域和第二多晶硅区域，该第二栅极包括该第一多晶硅区域，并且该控制栅极包括该第二多晶硅区域，该反熔丝器件的该击穿状态导致该第一多晶硅区域和该第二多晶硅区域之间通过该介电材料层的电连接。

集成电路可以包括导电连接元件，该导电连接元件包括电耦合到该第二栅极的第一端和位于该集成电路之外的自由的第二端。

集成电路可以包括密封环，该密封环包括围绕该集成电路的整个外围延伸的金属迹线和过孔，该连接元件包括与所述密封环交叉的交叉部分，该第二端位于该密封环之外。

该密封环有利地允许集成电路被保护，特别是在切割步骤期间。