[实用新型]显示面板及显示装置有效
申请号: | 201921438744.6 | 申请日: | 2019-08-30 |
公开(公告)号: | CN210120138U | 公开(公告)日: | 2020-02-28 |
发明(设计)人: | 楼均辉;张露 | 申请(专利权)人: | 昆山国显光电有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G09F9/33 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人: | 娜拉 |
地址: | 215300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 显示装置 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,包括主显示区、第一副显示区、第二副显示区以及过渡显示区,所述第一副显示区、所述第二副显示区以及所述过渡显示区位于所述主显示区的同侧,所述过渡显示区位于所述第一副显示区与所述第二副显示区之间,所述第一副显示区的透光率大于所述主显示区的透光率,所述显示面板包括:
第一像素单元,位于所述第一副显示区,所述第一像素单元包括第一子像素;
第一像素电路,位于所述过渡显示区,所述第一像素电路与所述第一子像素电连接,用于驱动所述第一子像素显示;
第二像素单元,位于所述第二副显示区,所述第二像素单元包括第二子像素;以及
第三像素单元,位于所述过渡显示区,所述第三像素单元包括第三子像素,
其中,同色的所述第一子像素、所述第二子像素、所述第三子像素中的任意至少两者尺寸相同。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一子像素包括第一发光区和第一非发光区,所述第一非发光区围绕所述第一发光区的至少部分周边设置,所述第一非发光区的透光率大于所述第一发光区的透光率;
所述第二子像素包括第二发光区和第二非发光区,所述第二非发光区围绕所述第二发光区的至少部分周边设置;
所述第三子像素包括第三发光区和第三非发光区,所述第三非发光区围绕所述第三发光区的至少部分周边设置;
所述显示面板还包括第四像素单元,所述第四像素单元位于所述主显示区,所述第四像素单元包括第四子像素,所述第四子像素包括第四发光区和第四非发光区,所述第四非发光区围绕所述第四发光区的至少部分周边设置;
其中,同色的所述第一子像素、所述第二子像素、所述第三子像素分别对应的所述第一发光区、所述第二发光区、所述第三发光区中的任意至少两者的尺寸相等,并且小于同色的所述第四子像素的所述第四发光区的尺寸。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,每个所述第一像素单元包括的多个所述第一发光区的总面积与所述第一像素单元面积之比为0.02至0.25。
4.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,每个所述第一像素单元包括的多个所述第一发光区的总面积与所述第一像素单元面积之比为0.05至0.12。
5.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一子像素包括第一电极、位于所述第一电极上的第一发光结构以及位于所述第一发光结构上的第二电极;
所述第二子像素包括第三电极、位于所述第三电极上的第二发光结构以及位于所述第二发光结构上的第四电极;
所述第三子像素包括第五电极、位于所述第五电极上的第三发光结构以及位于所述第三发光结构上的第六电极;
所述第一电极、所述第三电极、所述第五电极均为反射电极,
其中,同色的所述第一子像素、所述第二子像素、所述第三子像素分别对应的所述第一电极、所述第三电极、所述第五电极中的任意至少两者的形状、尺寸以及层结构相同,同色的所述第一子像素、所述第二子像素、所述第三子像素分别对应的所述第一发光结构、所述第二发光结构、所述第三发光结构中的任意至少两者的形状、尺寸以及层结构相同,同色的所述第一子像素、所述第二子像素、所述第三子像素分别对应的所述第二电极、所述第四电极、第六电极中的任意至少两者的形状、尺寸以及层结构相同。
6.根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于,同色且相邻的至少两个所述第一子像素的所述第一电极互连为第一互连电极,同色且相邻的至少两个所述第二子像素的所述第三电极互连为第二互连电极,同色且相邻的至少两个所述第三子像素的所述第五电极互连为第三互连电极,
相同颜色的所述第一子像素、所述第二子像素、第三子像素分别对应的所述第一互连电极、所述第二互连电极、所述第三互连电极中的任意至少两者的形状相同。
7.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一像素单元、所述第二像素单元、所述第三像素单元中的任意至少两者的排布规律相同。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的