[实用新型]显示面板及显示装置有效
申请号: | 201921438744.6 | 申请日: | 2019-08-30 |
公开(公告)号: | CN210120138U | 公开(公告)日: | 2020-02-28 |
发明(设计)人: | 楼均辉;张露 | 申请(专利权)人: | 昆山国显光电有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G09F9/33 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人: | 娜拉 |
地址: | 215300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 显示装置 | ||
本实用新型公开了一种显示面板及显示装置。显示面板包括主显示区、第一副显示区、第二副显示区以及过渡显示区,第一副显示区的透光率大于主显示区的透光率,显示面板包括:第一像素单元,位于第一副显示区,第一像素单元包括第一子像素;第二像素单元,位于第二副显示区,第二像素单元包括第二子像素;以及第三像素单元,位于过渡显示区,第三像素单元包括第三子像素,其中,同色的第一子像素、第二子像素、第三子像素中的任意至少两者尺寸相同。根据本实用新型实施例的显示面板及显示装置,实现例如摄像头的感光组件的屏下集成,同时第一副显示区能够显示画面,提高显示面板的显示面积,实现显示装置的全面屏设计。
技术领域
本实用新型涉及显示领域,具体涉及一种显示面板及显示装置。
背景技术
高屏占比是智能电子产品的最新发展方向。为了提高屏占比,电子产品正面的多种传感器需要集成到显示面板下方。目前指纹识别、听筒等器件已经能够较好地集成到显示面板的下方,但是电子产品的前摄像头的集成仍不能较好地解决。
针对前摄像头的集成,目前的解决方案是在显示面板上对应摄像头的位置进行挖槽或打孔,然而会造成显示面板挖槽或打孔区域不能显示信息的问题。
实用新型内容
本实用新型提供一种显示面板及显示装置,能够在显示面板的感光组件集成区域实现显示。
一方面,本实用新型实施例提供一种显示面板,包括主显示区、第一副显示区、第二副显示区以及过渡显示区,第一副显示区、第二副显示区以及过渡显示区位于主显示区的同侧,过渡显示区位于第一副显示区与第二副显示区之间,第一副显示区的透光率大于主显示区的透光率,显示面板包括:第一像素单元,位于第一副显示区,第一像素单元包括第一子像素;第一像素电路,位于过渡显示区,第一像素电路与第一子像素电连接,用于驱动第一子像素显示;第二像素单元,位于第二副显示区,第二像素单元包括第二子像素;以及第三像素单元,位于过渡显示区,第三像素单元包括第三子像素,其中,同色的第一子像素、第二子像素、第三子像素中的任意至少两者尺寸相同。
根据本实用新型实施例的一个方面,第一子像素包括第一发光区和第一非发光区,第一非发光区围绕第一发光区的至少部分周边设置,第一非发光区的透光率大于第一发光区的透光率;第二子像素包括第二发光区和第二非发光区,第二非发光区围绕第二发光区的至少部分周边设置;第三子像素包括第三发光区和第三非发光区,第三非发光区围绕第三发光区的至少部分周边设置;显示面板还包括第四像素单元,第四像素单元位于主显示区,第四像素单元包括第四子像素,第四子像素包括第四发光区和第四非发光区,第四非发光区围绕第四发光区的至少部分周边设置;其中,同色的第一子像素、第二子像素、第三子像素分别对应的第一发光区、第二发光区、第三发光区中的任意至少两者的尺寸相等,并且小于同色的第四子像素的第四发光区的尺寸。
根据本实用新型实施例的一个方面,每个第一像素单元包括的多个第一发光区的总面积与第一像素单元面积之比为0.02至0.25;
根据本实用新型实施例的一个方面,每个第一像素单元包括的多个第一发光区的总面积与第一像素单元面积之比为0.05至0.12。
根据本实用新型实施例的一个方面,第一子像素包括第一电极、位于第一电极上的第一发光结构以及位于第一发光结构上的第二电极;第二子像素包括第三电极、位于第三电极上的第二发光结构以及位于第二发光结构上的第四电极;第三子像素包括第五电极、位于第五电极上的第三发光结构以及位于第三发光结构上的第六电极;第一电极、第三电极、第五电极均为反射电极,其中,同色的第一子像素、第二子像素、第三子像素分别对应的第一电极、第三电极、第五电极中的任意至少两者的形状、尺寸以及层结构相同,同色的第一子像素、第二子像素、第三子像素分别对应的第一发光结构、第二发光结构、第三发光结构中的任意至少两者的形状、尺寸以及层结构相同,同色的第一子像素、第二子像素、第三子像素分别对应的第二电极、第四电极、第六电极中的任意至少两者的形状、尺寸以及层结构相同。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的