[实用新型]一种防止硅片磨损的PECVD石墨舟有效
| 申请号： | 201921438754.X | 申请日： | 2019-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN210403679U | 公开（公告）日： | 2020-04-24 |
| 发明（设计）人： | 杨东;郑应轩;史志平;陈晓;王岚;张忠文;谢毅 | 申请（专利权）人： | 通威太阳能(眉山)有限公司;通威太阳能(成都)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/673 | 分类号： | H01L21/673;C23C16/458;H01L31/18 |
| 代理公司： | 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 51230 | 代理人： | 谢建 |
| 地址： | 620000 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 防止 硅片 磨损 pecvd 石墨 | ||
【权利要求书】：
1.一种防止硅片磨损的PECVD石墨舟，包括若干重叠设置的石墨舟舟页(101)，石墨舟舟页(101)上设有固定太阳能硅片的多个卡点(103)，石墨舟舟页(101)上还设有用于真空作用下吸附固定太阳能硅片的孔洞(104)，其特征在于，石墨舟舟页(101)上均匀间隔设有多个承载位(102)，每个承载位(102)边缘设有用于与硅片接触的延展斜面(105)，所述延展斜面(105)沿着所述承载位(102)边缘首尾相连形成矩形框。
2.按照权利要求1所述一种防止硅片磨损的PECVD石墨舟，其特征在于，延展斜面(105)的内侧棱边为弧形边。
3.按照权利要求1所述一种防止硅片磨损的PECVD石墨舟，其特征在于，承载位(102)和延展斜面(105)的拐角(106)均为倒角。
4.按照权利要求1所述一种防止硅片磨损的PECVD石墨舟，其特征在于，延展斜面(105)与水平面之间形成的倾斜角为3°-5°。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
