[实用新型]一种防止硅片磨损的PECVD石墨舟有效
申请号: | 201921438754.X | 申请日: | 2019-08-30 |
公开(公告)号: | CN210403679U | 公开(公告)日: | 2020-04-24 |
发明(设计)人: | 杨东;郑应轩;史志平;陈晓;王岚;张忠文;谢毅 | 申请(专利权)人: | 通威太阳能(眉山)有限公司;通威太阳能(成都)有限公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673;C23C16/458;H01L31/18 |
代理公司: | 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 51230 | 代理人: | 谢建 |
地址: | 620000 四川省*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 防止 硅片 磨损 pecvd 石墨 | ||
本实用新型公开了一种防止硅片磨损的PECVD石墨舟,属于光伏技术领域,其包括若干重叠设置的石墨舟舟页,石墨舟舟页上设有固定太阳能硅片的多个卡点,石墨舟舟页上还设有用于真空作用下吸附固定太阳能硅片的孔洞,石墨舟舟页上均匀间隔设有多个承载位,每个承载位边缘设有用于与硅片接触的延展斜面,所述延展斜面沿着所述承载位边缘首尾相连形成矩形框,延展斜面的内侧棱边为弧形边。本实用新型将石墨舟舟页与太阳能硅片的接触面加工为斜面,使石墨舟的承载位与硅片的接触不再是线性接触,从而减小因PECVD设备在抽真空步骤时,引起石墨舟承载位与硅片接触位置的摩擦划伤。
技术领域
本实用新型属于光伏技术领域,具体涉及一种防止硅片磨损的PECVD石墨舟。
背景技术
随着光伏行业竞争将日趋激烈,太阳能电池技术发展迅猛,各大企业加大了工艺研发和技改投入力度,随着生产工艺水平不断进步,高效电池技术在不断发展的同时,也将面临新的问题和挑战。
在传统PERC工艺过程中,请参阅附图1所示,背面的钝化通常会采用管式PECVD设备沉积背面的氮化硅薄膜,而管式PECVD设备所使用的石墨舟的舟框边缘与硅片的接触是线性接触,在抽真空步骤中,硅片容易受到摩擦划伤引起EL测试下的不良。
专利申请号:CN201620665557.1公开一种石墨舟片及石墨舟,涉及硅片镀膜技术领域。石墨舟片包括石墨舟片本体和承载位,所述承载位凸出于石墨舟片本体的表面,所述承载位上设有镂空,所述承载位的边缘设有多个用于固定硅片的卡点。同时,其还保护一种石墨舟,包括上述石墨舟片。
专利申请号:CN201721773096.0公开了一种石墨舟,包括石墨舟片,所述石墨舟片上设有承载位,所述承载位为镂空设置,且承载位上设有镂空架,所述镂空架采用加强筋结构,所述镂空架与承载位侧壁固定连接,所述承载位四周环设有卡点,所述卡点固定在承载位侧壁上,所述石墨舟片表面设有第一安装孔,所述第一安装孔内设有陶瓷管。
上述两种技术采用凸出石墨舟片本体的承载位,且在承载位内安装有镂空架或设置为镂空结构,采用镂空结构虽然能解决受热翘曲的问题;但当进行抽真空步骤时,镂空架与太阳能硅片之间的接触是线性接触,镂空结构反而会加大硅片与镂空结构之间的摩擦,使得承载位边缘与硅片接触位置摩擦划伤。
上述两种技术中,专利申请号:CN201721773096.0还将镂空架设置为加强筋,这种结构在真空作用下对硅片的伤害更甚。
实用新型内容
本实用新型的目的在于克服现有技术的不足,提供一种防止硅片磨损的PECVD石墨舟,解决现有的PECVD石墨舟容易引起太阳能硅片造成划伤的问题,将石墨舟舟页与太阳能硅片的接触面加工为斜面,使石墨舟的承载位与硅片的接触不再是线性接触,从而减小因PECVD设备在抽真空步骤时,引起石墨舟承载位与硅片接触位置的摩擦划伤。
本实用新型采用的技术方案如下:
一种防止硅片磨损的PECVD石墨舟,包括若干重叠设置的石墨舟舟页,石墨舟舟页上设有固定太阳能硅片的多个卡点,石墨舟舟页上还设有用于真空作用下吸附固定太阳能硅片的孔洞,石墨舟舟页上均匀间隔设有多个承载位,每个承载位边缘设有用于与硅片接触的延展斜面,所述延展斜面沿着所述承载位边缘首尾相连形成矩形框。
需要说明的是,本实用新型改进石墨舟舟页的结构,使得石墨舟舟页的承载位为矩形开口结构,承载位的边缘加工成延展斜面,延展斜面可以增大与太阳能硅片边缘的接触面积,使得延展斜面与太阳能硅片之间的接触变成非线性接触,从而避免接触位置的摩擦划伤。
进一步的,延展斜面的内侧棱边为弧形边,弧形边能减小与太阳能硅片之间的摩擦,从而降低EL测试下的不良率。
进一步的,承载位和延展斜面的拐角均为倒角。
进一步的,延展斜面与水平面之间形成的倾斜角为3°-5°。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造