[实用新型]一种防止硅片磨损的PECVD石墨舟有效

专利信息
申请号: 201921438754.X 申请日: 2019-08-30
公开(公告)号: CN210403679U 公开(公告)日: 2020-04-24
发明(设计)人: 杨东;郑应轩;史志平;陈晓;王岚;张忠文;谢毅 申请(专利权)人: 通威太阳能(眉山)有限公司;通威太阳能(成都)有限公司
主分类号: H01L21/673 分类号: H01L21/673;C23C16/458;H01L31/18
代理公司: 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 51230 代理人: 谢建
地址: 620000 四川省*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 防止 硅片 磨损 pecvd 石墨
【说明书】:

本实用新型公开了一种防止硅片磨损的PECVD石墨舟,属于光伏技术领域,其包括若干重叠设置的石墨舟舟页,石墨舟舟页上设有固定太阳能硅片的多个卡点,石墨舟舟页上还设有用于真空作用下吸附固定太阳能硅片的孔洞,石墨舟舟页上均匀间隔设有多个承载位,每个承载位边缘设有用于与硅片接触的延展斜面,所述延展斜面沿着所述承载位边缘首尾相连形成矩形框,延展斜面的内侧棱边为弧形边。本实用新型将石墨舟舟页与太阳能硅片的接触面加工为斜面,使石墨舟的承载位与硅片的接触不再是线性接触,从而减小因PECVD设备在抽真空步骤时,引起石墨舟承载位与硅片接触位置的摩擦划伤。

技术领域

本实用新型属于光伏技术领域,具体涉及一种防止硅片磨损的PECVD石墨舟。

背景技术

随着光伏行业竞争将日趋激烈,太阳能电池技术发展迅猛,各大企业加大了工艺研发和技改投入力度,随着生产工艺水平不断进步,高效电池技术在不断发展的同时,也将面临新的问题和挑战。

在传统PERC工艺过程中,请参阅附图1所示,背面的钝化通常会采用管式PECVD设备沉积背面的氮化硅薄膜,而管式PECVD设备所使用的石墨舟的舟框边缘与硅片的接触是线性接触,在抽真空步骤中,硅片容易受到摩擦划伤引起EL测试下的不良。

专利申请号:CN201620665557.1公开一种石墨舟片及石墨舟,涉及硅片镀膜技术领域。石墨舟片包括石墨舟片本体和承载位,所述承载位凸出于石墨舟片本体的表面,所述承载位上设有镂空,所述承载位的边缘设有多个用于固定硅片的卡点。同时,其还保护一种石墨舟,包括上述石墨舟片。

专利申请号:CN201721773096.0公开了一种石墨舟,包括石墨舟片,所述石墨舟片上设有承载位,所述承载位为镂空设置,且承载位上设有镂空架,所述镂空架采用加强筋结构,所述镂空架与承载位侧壁固定连接,所述承载位四周环设有卡点,所述卡点固定在承载位侧壁上,所述石墨舟片表面设有第一安装孔,所述第一安装孔内设有陶瓷管。

上述两种技术采用凸出石墨舟片本体的承载位,且在承载位内安装有镂空架或设置为镂空结构,采用镂空结构虽然能解决受热翘曲的问题;但当进行抽真空步骤时,镂空架与太阳能硅片之间的接触是线性接触,镂空结构反而会加大硅片与镂空结构之间的摩擦,使得承载位边缘与硅片接触位置摩擦划伤。

上述两种技术中,专利申请号:CN201721773096.0还将镂空架设置为加强筋,这种结构在真空作用下对硅片的伤害更甚。

实用新型内容

本实用新型的目的在于克服现有技术的不足,提供一种防止硅片磨损的PECVD石墨舟,解决现有的PECVD石墨舟容易引起太阳能硅片造成划伤的问题,将石墨舟舟页与太阳能硅片的接触面加工为斜面,使石墨舟的承载位与硅片的接触不再是线性接触,从而减小因PECVD设备在抽真空步骤时,引起石墨舟承载位与硅片接触位置的摩擦划伤。

本实用新型采用的技术方案如下:

一种防止硅片磨损的PECVD石墨舟,包括若干重叠设置的石墨舟舟页,石墨舟舟页上设有固定太阳能硅片的多个卡点,石墨舟舟页上还设有用于真空作用下吸附固定太阳能硅片的孔洞,石墨舟舟页上均匀间隔设有多个承载位,每个承载位边缘设有用于与硅片接触的延展斜面,所述延展斜面沿着所述承载位边缘首尾相连形成矩形框。

需要说明的是,本实用新型改进石墨舟舟页的结构,使得石墨舟舟页的承载位为矩形开口结构,承载位的边缘加工成延展斜面,延展斜面可以增大与太阳能硅片边缘的接触面积,使得延展斜面与太阳能硅片之间的接触变成非线性接触,从而避免接触位置的摩擦划伤。

进一步的,延展斜面的内侧棱边为弧形边,弧形边能减小与太阳能硅片之间的摩擦,从而降低EL测试下的不良率。

进一步的,承载位和延展斜面的拐角均为倒角。

进一步的,延展斜面与水平面之间形成的倾斜角为3°-5°。

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