[实用新型]一种防漂篮硅片反应槽有效
申请号: | 201921445537.3 | 申请日: | 2019-09-02 |
公开(公告)号: | CN210073792U | 公开(公告)日: | 2020-02-14 |
发明(设计)人: | 易书令;马晓林;潘岳林;姜大俊;潘励刚;郑旭然 | 申请(专利权)人: | 盐城阿特斯阳光能源科技有限公司;阿特斯阳光电力集团有限公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673;H01L21/66 |
代理公司: | 11332 北京品源专利代理有限公司 | 代理人: | 胡彬 |
地址: | 224000 江苏省盐*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 主槽 温度检测件 副槽 制冷件 硅片 本实用新型 配置 反应槽 硅片制绒 盛装药液 电连接 反应时 连通 检测 | ||
本实用新型公开了一种防漂篮硅片反应槽,其包括主槽、副槽、温度检测件和制冷件,主槽被配置为盛装药液,副槽与主槽相连,药液能够在主槽和副槽之间循环,温度检测件设在主槽内,温度检测件被配置为检测主槽内的药液的温度,制冷件设在副槽内,制冷件被配置为降低副槽内药液的温度,制冷件被配置为根据温度检测件的测量结果调整其工作状态。本实用新型的防漂篮硅片反应槽,由于设有与主槽连通的副槽,主槽内设有温度检测件,副槽内设有与温度检测件电连接的制冷件,较好地控制了主槽内的药液温度,使得药液与硅片的反应能够稳定的进行,控制了药液与硅片反应时气泡的生成速率,较好地解决硅片制绒过程中出现漂篮现象。
技术领域
本实用新型涉及光伏硅片加工设备技术领域,尤其涉及一种防漂篮硅片反应槽。
背景技术
近些年单面制绒技术的逐渐成熟,即将两片硅片背靠背插入花篮进行制绒。特别是分片技术的改进,各大公司已经将单面制绒技术作为公司降本提产的利器,与双面制绒对比,单面制绒可以降低化学品成本的约45%,降低纯水用量约30%,同时制绒产能单小时翻倍,减少购置机台的成本,是目前主流的制绒方向。单面制绒主要分三步双片背靠背制绒、分片、清洗。由于单面制绒技术在现有机台上导入,槽式制绒的漂篮异常发生的几率大大增加,主要由于单面制绒技术导入花篮硅片数由原来的100片增加到200片,单个槽体放置两个花篮,即单个槽体硅片由200片增加到400片,硅片数量为原来的2倍,硅片在药液中的反应剧烈,产生大量气体,气体附着在硅片表面,使得整个硅片或花篮的浮力增加;同时反应释放大量的热量增加药液的温度,药液通过循环泵在制绒机台的外槽和内槽进行循环流动,药液温度无法得到及时散发,均加快了漂篮异常的发生。漂篮后硅片与药液接触不充分,会容易产生色差片,同时漂篮后机械臂提篮时容易造成批量性碎片,漂篮异常是阻碍单面制绒良率提升的主要因子,有效改善漂篮异常是亟需解决的问题。
目前针对槽式单面制绒漂篮异常,主要有三个改善方向,第一种工艺方向:改善方案为对槽体药液进行优化,在原工艺基础上增加特殊添加剂,降低硅片表面反应剧烈程度来解决漂篮问题;第二种工装方向:增加花篮重量,使得硅片表面反应生成的气体无法带动花篮,从而解决漂篮问题;第三种槽体结构固定方向:在槽盖上设计压块,使得槽盖上压块能够将漂起来的花篮压住。
上述技术存在以下缺点或不足:
1、新增添加剂会造成化学品成本上升,并且由于特殊添加剂的价格一般都较为昂贵,采用增加特殊添加剂降低反应速率会极大的提升成本;
2、工装花篮重量增加会增加机械臂的承重,从而容易造成挂钩断裂;
3、槽盖上设计压块,在槽盖关闭时能够避免漂篮,但是槽盖打开后花篮仍会漂起来。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提出一种防漂篮硅片反应槽,该防漂篮硅片反应槽能够较好地控制硅片与药液的反应速率,控制硅片与药液反应产生气泡的速度,从而较好地改善漂篮现象。
为实现上述技术效果,本实用新型实施例的防漂篮硅片反应槽的技术方案如下:
一种防漂篮硅片反应槽,包括:主槽,所述主槽被配置为盛装药液;副槽,所述副槽与所述主槽相连,药液能够在所述主槽和所述副槽之间循环;温度检测件,所述温度检测件设在所述主槽内,所述温度检测件被配置为检测所述主槽内的药液的温度;制冷件,所述制冷件设在所述副槽内,所述制冷件被配置为降低所述副槽内药液的温度,所述制冷件被配置为根据所述温度检测件的测量结果调整其工作状态。
在一些实施例中,所述主槽包括:内槽,所述内槽具有进液口,所述进液口与所述副槽相连;外槽,所述外槽环绕所述内槽设置,所述外槽的底壁位于所述内槽的底壁上方且位于所述内槽的顶壁下方,所述外槽具有出液口,所述出液口与所述副槽相连。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造