[实用新型]一种可减少断棱的单晶炉有效
申请号: | 201921452845.9 | 申请日: | 2019-09-03 |
公开(公告)号: | CN210886309U | 公开(公告)日: | 2020-06-30 |
发明(设计)人: | 孟涛;王海庆;姚亮 | 申请(专利权)人: | 包头美科硅能源有限公司 |
主分类号: | C30B15/00 | 分类号: | C30B15/00;C30B29/06 |
代理公司: | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人: | 任立 |
地址: | 010000 内蒙古自治区*** | 国省代码: | 内蒙古;15 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 减少 单晶炉 | ||
本实用新型公开了一种可减少断棱的单晶炉,涉及单晶炉技术领域,由上往下依次包括上炉筒、副室、炉盖、主炉室和下炉室,所述主炉室内设置有导流筒,所述炉盖上设置有用于将氩气通入主炉室内的氩气管道,所述氩气管道上开设有出气孔且所述出气孔位于导流筒内侧。本实用新型改变了氩气管道的设置位置,将氩气管道设置在主炉室内,不仅避免氩气将副室内的碳颗粒、硅粉等其它杂质带入熔硅中造成断棱,而且避免了氩气在炉内不同构造中形成气旋而影响温度,有利于拉晶,减少了拉晶过程中的异常比例,减少了断线率。
技术领域
本实用新型涉及单晶炉技术领域,特别是涉及一种可减少断棱的单晶炉。
背景技术
现有的单晶炉中氩气一般由副室顶端通入单晶炉内,并由主炉底部的真空泵抽入主炉炉体内。氩气通过副室进入主炉时,炉内气流容易将炉内碳颗粒、硅粉等其它杂质带入熔硅中造成断棱,也容易造成单晶碳含量上升。另外,由于副室与炉底距离较大,氩气在炉内不同构造中容易形成气旋,影响温度,而且氩气由副室通过熔硅表面,气体温度逐渐上升,等径过程中晶体长度达到一定长度时,影响气体流速及晶体表面温度造成晶体出现变形、扭曲等异常,不利于拉晶。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题是,克服现有技术的缺点,提供一种可减少断棱的单晶炉。
为了解决以上技术问题,本实用新型的技术方案如下:
一种可减少断棱的单晶炉,由上往下依次包括上炉筒、副室、炉盖、主炉室和下炉室,所述主炉室内设置有导流筒,所述炉盖上设置有用于将氩气通入主炉室内的氩气管道,所述氩气管道上开设有出气孔且所述出气孔位于导流筒内侧。
进一步地,氩气管道包括环状管路以及位于环状管路两侧的侧边管路,环状管路位于导流筒内侧,侧边管路的一端与环状管路连通,另一端穿设炉盖伸至主炉室外,环状管路朝向导流筒的一侧均匀开设有至少两个出气孔。
前所述的一种可减少断棱的单晶炉,环状管路朝向导流筒一侧均匀开设有四个出气孔。
前所述的一种可减少断棱的单晶炉,氩气管道包括内管以及包覆在内管外的外管,内管的任意一端与氩气供应端连通,内管上开设有排气孔,排气孔通过出气管与出气孔连通,外管的一端开设有进水口,另一端开设有出水口。
前所述的一种可减少断棱的单晶炉,炉盖上设置有用于驱动氩气管道升降的升降装置。
本实用新型的有益效果是:
(1)本实用新型改变了氩气管道的设置位置,将氩气管道设置在主炉室内,不仅避免氩气将副室内的碳颗粒、硅粉等其它杂质带入熔硅中造成断棱,而且避免了氩气在炉内不同构造中形成气旋而影响温度,有利于拉晶,减少了拉晶过程中的异常比例,减少了断线率;
(2)本实用新型将氩气管道的中部设置成环状管路,便于在氩气管道上对称开设多个出气孔,对两侧的导流筒进行吹扫,通过氩气对导流筒进行吹拂洁净,减少了杂质含量,降低了杂质来源,改善了产品品质;
(3)本实用新型在内管中通入氩气,在内管外设置外管并在外管内通入降温水,通过水冷的方式对氩气管道进行降温,避免主炉室内温度过高而影响氩气管道的使用寿命;另外,通过水冷的方式还可对氩气产生一定的降温效果,使氩气冷却晶体结晶面,从而提高等径拉速,提高了产能;
(4)本实用新型在炉盖上还设置有升降装置,通过该升降装置可带动氩气管道升降,从而使出气孔升降,由上而下对导流筒进行吹扫,保证了对导流筒吹拂洁净的效果。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图;
图2为氩气管道的结构示意图;
图3为图2中环状管路的剖面示意图;
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