[实用新型]静电保护电路

权利要求书

1.一种静电保护电路，其特征在于，包括：

电源端、输入焊盘端、接地端、第一双向二极管模块、第二双向二极管模块、内部电路；

所述第一双向二极管模块具有第一端和第二端，所述第一双向二极管模块的第一端连接所述电源端，所述第一双向二极管模块的第二端连接所述输入焊盘端；

所述第二双向二极管模块具有第一端和第二端，所述第二双向二极管模块的第一端连接所述输入焊盘端，所述第二双向二极管模块的第二端连接所述接地端；

所述内部电路具有第一端、第二端和第三端，所述内部电路的第一端连接所述电源端，所述内部电路的第二端连接所述输入焊盘端，所述内部电路的第三端连接所述接地端。

2.如权利要求1所述的静电保护电路，其特征在于，所述静电保护电路还包括：电阻，所述电阻包括第一端和第二端，所述电阻的第一端连接所述输入焊盘端，所述电阻的第二端连接所述内部电路的第二端，且连接所述第一双向二极管模块第二端，且连接所述第二双向二极管模块第一端。

3.如权利要求2所述的静电保护电路，其特征在于，所述电阻的第一端与所述电源端之间还连接有第五二极管，所述电阻的第一端与所述接地端之间还连接有第六二极管。

4.如权利要求2所述的静电保护电路，其特征在于，所述内部电路至少包括串联的PMOS晶体管和NMOS晶体管，所述PMOS晶体管的漏极与所述NMOS晶体管的漏极连接，所述PMOS晶体管的源极作为第一端与所述电源端连接，所述NMOS晶体管的源极作为第三端与所述接地端连接，所述PMOS晶体管的栅极与所述NMOS晶体管的栅极连接在一起作为第二端并与所述电阻的第二端连接。

5.如权利要求4所述的静电保护电路，其特征在于，所述第一双向二极管模块包括反向连接的第一二极管和正向连接的若干串联的第三二极管。

6.如权利要求5所述的静电保护电路，其特征在于，所述第一二极管的数量为一个，所述第三二极管的数量大于一个。

7.如权利要求6所述的静电保护电路，其特征在于，所述若干串联的第三二极管的导通电压大于所述输入焊盘端的正常工作电压，并且小于所述PMOS晶体管的栅氧化层击穿电压。

8.如权利要求4所述的静电保护电路，其特征在于，所述第二双向二极管模块包括反向连接的第二二极管和正向连接的若干串联的第四二极管。

9.如权利要求8所述的静电保护电路，其特征在于，所述第二二极管的数量为一个，所述第四二极管的数量大于一个。

10.如权利要求9所述的静电保护电路，其特征在于，所述若干串联的第四二极管的导通电压大于所述输入焊盘端的正常工作电压，并且小于所述NMOS晶体管的栅氧化层击穿电压。