[实用新型]静电保护电路

说明书

一种静电保护电路，包括：电源端、输入焊盘端、接地端、第一双向二极管模块、第二双向二极管模块、内部电路；第一双向二极管模块具有第一端和第二端，第一双向二极管模块的第一端连接电源端，第一双向二极管模块的第二端连接所述输入焊盘端；第二双向二极管模块具有第一端和第二端，第二双向二极管模块的第一端连接输入焊盘端，第二双向二极管模块的第二端连接所述接地端；内部电路具有第一端、第二端和第三端，内部电路的第一端连接所述电源端，内部电路的第二端连接输入焊盘端，内部电路的第三端连接所述接地端。避免了先进制程当芯片内部电路中的晶体管栅氧化层的击穿电压小于其静电保护晶体管的结的击穿电压时的静电保护电路的失效的问题。

技术领域

本实用新型涉及集成电路领域，尤其涉及一种静电保护电路。

背景技术

带静电的物体与元器件有电接触时，静电会转移到元器件上或通过元器件放电；或者元器件本身带电，通过其它物体放电。这两种过程都可能损伤元器件，损伤的程度与静电放电的模式有关。实际过程中静电的来源有很多，放电的形式也有多种。但通过对静电的主要来源以及实际发生的静电放电过程的研究认为，对元器件造成损伤的主要是三种模式：带电人体的静电放电模式(Human Body Model，HBD)、带电机器的放电模式(MachineModel，MM) 和充电器件的放电模式(Charged-Device Model，CDM)。

在集成电路的接口电路上，为防止静电放电对集成电路造成破坏，需要设置相应的静电防护电路(ESD protection circuits)，静电防护电路不仅要保护电子元件不被静电放电损毁，还要保证万一出现静电放电事件后系统仍能继续运行。

现有的一种静电保护电路，请参考图1，包括：输入焊盘端Input、电源端 VDD、接地端VSS、内部电路100和静电保护结构，所述内部电路100包括第二NMOS晶体管Mn2和第二PMOS晶体管Mp2，第二NMOS晶体管Mn2的漏极与第二PMOS晶体管Mp2的漏极连接，第二NMOS晶体管Mn2的栅极与第二PMOS晶体管Mp2的栅极连接在一起并通过一电阻Rin与输入焊盘端Input连接，第二NMOS晶体管Mn2源极与接地端VSS连接，第二PMOS晶体管Mp2的源极与电源端VDD连接，所述静电保护结构包括第一NMOS晶体管Mn1和第一PMOS晶体管Mp1，第一NMOS晶体管Mn1的漏极与第一 PMOS晶体管Mp1的漏极连接在一起并与第二PMOS晶体管的栅极连接，第一NMOS晶体管Mn1的栅极与接地端VSS连接，第一PMOS晶体管Mp1的栅极与电源端VDD连接，第一NMOS晶体管Mn1源极与接地端VSS连接，第一PMOS晶体管Mp1的源极与电源端VDD连接。

上述静电保护结构能正常工作的前提是静电保护晶体管(第一NMOS晶体管Mn1和第一PMOS晶体管Mp1)的结击穿电压小于内部电路晶体管(第二NMOS晶体管Mn2和第二PMOS晶体管Mp2)的栅氧化层击穿电压，当静电发生时，静电保护晶体管先于内部电路晶体管被击穿，从而释放静电以保护内部电路中的晶体管。

但是随着先进制程的开发，内部电路晶体管中的栅氧化层的厚度变得越来越薄，内部电路晶体管中栅氧化层的击穿电压变得小于静电保护晶体管的结击穿电压，使得上述静电保护电路失效，现有的静电保护电路的设计窗口已不能应用，亟需一种新的静电保护电路。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是提供一种新的静电保护电路。

本实用新型提供了一种静电保护电路，包括：

电源端、输入焊盘端、接地端、第一双向二极管模块、第二双向二极管模块、内部电路；

所述第一双向二极管模块具有第一端和第二端，所述第一双向二极管模块的第一端连接所述电源端，所述第一双向二极管模块的第二端连接所述输入焊盘端；

所述第二双向二极管模块具有第一端和第二端，所述第二双向二极管模块的第一端连接所述输入焊盘端，所述第二双向二极管模块的第二端连接所述接地端；