[实用新型]一种集成肖特基二极管的新型沟槽IGBT芯片

权利要求书

1.一种集成肖特基二极管的新型沟槽IGBT芯片，包括底层的背P+发射区(4)，在背P+发射区(4)上方依次设有N+缓冲层(3)以及N-型基区(1)，在N-型基区(1)上方设有两个N-型基区(1)凸起，在两个N-型基区(1)凸起上方依次设有P型基区(2)以及N+集电区(5)，在N+集电区(5)、P型基区(2)和N-型基区(1)外侧覆盖有栅氧化层(6)，栅氧化层(6)外侧沟槽填充有多晶栅(7)，多晶栅(7)被两个N-型基区(1)凸起分割为中间沟槽多晶栅(7)以及外侧沟槽多晶栅(7)，栅电极(10)和外侧沟槽多晶栅(7)连接，集电极(8)和背P+发射区(4)连接，其特征在于：发射极(9)贯穿N+集电区(5)深入P型基区(2)，中间沟槽多晶栅(7)接触的栅氧化层(6)变薄形成薄栅氧化层(12)，肖特基中间栅电极(11)连接N+集电区(5)、薄栅氧化层(12)以及和中间沟槽多晶栅(7)。

2.根据权利要求1所述的一种集成肖特基二极管的新型沟槽IGBT芯片，其特征在于：所述发射极(9)使用势垒较高的金属，所述势垒较高的金属是钛。