[实用新型]一种DC-DC直流升压变换电路

权利要求书

1.一种DC-DC直流升压变换电路，包括变压器T1、电阻DR4、场效应管QMOS3和场效应管QMOS1，其特征在于，所述场效应管QMOS3的源极连接场效应管QMOS4和接地端，场效应管QMOS3的栅极通过电阻DR4连接电阻DR3和控制端PWM1，电阻DR3的另一端连接场效应管QMOS4的栅极，场效应管QMOS3的漏极连接电容XSC1、场效应管QMOS4的漏极和变压器T1的端口9，电容XSC1的另一端通过电阻XSR1连接场效应管QMOS1的源极、场效应管QMOS2的源极和变压器T1的端口15，场效应管QMOS1的栅极通过电阻DR2连接电阻DR1和控制端PWM2，电阻DR1的另一端连接场效应管QMOS2的栅极，变压器T1的端口7连接二极管ZLD2的阳极和二极管ZLD1的阴极，二极管ZLD2的阴极连接电容BUSC1、电容BUSC2、电容BUSC3、电容C15、电容C39和电压输出端，电容C39的另一端连接电阻R6的另一端、电阻KTS1、电阻KTS2、二极管ZLD1的阳极和地，变压器T1的端口4接地。

2.根据权利要求1所述的一种DC-DC直流升压变换电路，其特征在于，所述变压器T1到的型号为E142。

3.根据权利要求1所述的一种DC-DC直流升压变换电路，其特征在于，所述控制端PWM1和控制端PWM2均连接数字信号驱动芯片。

4.根据权利要求1所述的一种DC-DC直流升压变换电路，其特征在于，所述二极管ZLD2的阳极和二极管ZLD1组成整流电路。

5.根据权利要求1-4任一所述的一种DC-DC直流升压变换电路，其特征在于，所述场效应管QMOS1-QMOS4的型号均为SVD1404T。