[实用新型]一种DC-DC直流升压变换电路

说明书

本实用新型公开了一种DC‑DC直流升压变换电路，包括变压器T1、电阻DR4、场效应管QMOS3和场效应管QMOS1，所述场效应管QMOS3的源极连接场效应管QMOS4和接地端，场效应管QMOS3的栅极通过电阻DR4连接电阻DR3和控制端PWM1，电阻DR3的另一端连接场效应管QMOS4的栅极，场效应管QMOS3的漏极连接电容XSC1、场效应管QMOS4的漏极和变压器T1的端口9，本实用新型采用高频40khz数字信号驱动芯片，设计电路简单，节约大功率器件降低了成本，同时对输出波形采取了数字信号控制，滤波电路加入提高了输出波形质量。

技术领域

本实用新型涉及电源技术领域，具体是一种DC-DC直流升压变换电路。

背景技术

随着人们生活水平的不断提高，电子设备已经成为生活中必不可少的一部分，尤其是各种家用电器给人们的生活、工作带来了极大的便利，这类电子装置都要求有一个精度较高、电流较大的DC-DC直流电源。现有市场的直流电源种类繁多，其中低端产品尤其多，虽然低端产品相对高端产品有着价格的优势，但是质量往往不尽如意。

常见的DC-DC直流电源均存在功能单一、寿命短、抗干扰性能差等缺陷，而高端产品虽然质量可靠、安全稳定，但是价格高昂也让人望而却步。因此有待于改进。

发明内容

本实用新型的目的在于提供一种DC-DC直流升压变换电路，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：

一种DC-DC直流升压变换电路，包括变压器T1、电阻DR4、场效应管QMOS3和场效应管QMOS1，所述场效应管QMOS3的源极连接场效应管QMOS4和接地端，场效应管QMOS3的栅极通过电阻DR4连接电阻DR3和控制端PWM1，电阻DR3的另一端连接场效应管QMOS4的栅极，场效应管QMOS3的漏极连接电容XSC1、场效应管QMOS4的漏极和变压器T1的端口9，电容XSC1的另一端通过电阻XSR1连接场效应管QMOS1的源极、场效应管QMOS2的源极和变压器T1的端口15，场效应管QMOS1的栅极通过电阻DR2连接电阻DR1和控制端PWM2，电阻DR1的另一端连接场效应管QMOS2的栅极，变压器T1的端口7连接二极管ZLD2的阳极和二极管ZLD1的阴极，二极管ZLD2的阴极连接电容BUSC1、电容BUSC2、电容BUSC3、电容C15、电容C39和电压输出端，电容C39的另一端连接电阻R6的另一端、电阻KTS1、电阻KTS2、二极管ZLD1的阳极和地，变压器T1的端口4接地。

作为本实用新型的进一步技术方案：所述变压器T1到的型号为E142。

作为本实用新型的进一步技术方案：所述控制端PWM1和控制端PWM2均连接数字信号驱动芯片。

作为本实用新型的进一步技术方案：所述二极管ZLD2的阳极和二极管ZLD1组成整流电路。

作为本实用新型的进一步技术方案：所述场效应管QMOS1-QMOS4的型号均为SVD1404T。

与现有技术相比，本实用新型具有以下优点：本实用新型采用高频40khz数字信号驱动芯片，设计电路简单，节约大功率器件降低了成本，同时对输出波形采取了数字信号控制，滤波电路加入提高了输出波形质量。

附图说明

图1为本实用新型的电路图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。