[实用新型]一种立体封装DDR2 SDRAM存储器有效
申请号: | 201921475085.3 | 申请日: | 2019-09-06 |
公开(公告)号: | CN210467839U | 公开(公告)日: | 2020-05-05 |
发明(设计)人: | 颜军;陈像;潘申林;王烈洋;占连样 | 申请(专利权)人: | 珠海欧比特宇航科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/108 | 分类号: | H01L27/108;H01L23/552 |
代理公司: | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人: | 郑晨鸣 |
地址: | 519080 广东省珠*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 立体 封装 ddr2 sdram 存储器 | ||
1.一种立体封装DDR2 SDRAM存储器,其特征在于:包括封装体(5)以及均设置在所述封装体(5)内的引脚底板(1)和多个芯片层;
所述引脚底板(1)上设置有第一引线桥(11)以及用于对外连接的信号引脚(12),所述第一引线桥(11)通过走线与所述信号引脚(12)关联连接;
多个所述芯片层从下往上依次堆叠在所述引脚底板(1)上,每个所述芯片层包括基板(2)和DDR2芯片(3),所述基板(2)上设置有关联连接的第二引线桥(21)和信号连接线(22),所述DDR2芯片(3)叠放在所述基板(2)上,且与所述信号连接线(22)关联连接;
所述封装体(5)的外表面设置有镀金连接线(4)和金属屏蔽层,所述镀金连接线(4)将多个所述基板(2)的第二引线桥(21)关联连接后与所述第一引线桥(11)关联连接,所述金属屏蔽层与所述引脚底板(1)的接地信号引脚(12)关联连接。
2.如权利要求1所述的立体封装DDR2 SDRAM存储器,其特征在于:所述金属屏蔽层为镍合金屏蔽层。
3.如权利要求1所述的立体封装DDR2 SDRAM存储器,其特征在于:所述DDR2芯片(3)采用容量为128M,数据总线宽度为8位的DDR2芯片(3)。
4.如权利要求3所述的立体封装DDR2 SDRAM存储器,其特征在于:所述芯片层的数量为八层。
5.如权利要求1-4任意一项所述的立体封装DDR2 SDRAM存储器,其特征在于:多个所述DDR2芯片(3)的CS片选信号线、CK时钟信号线和CKE时钟使能信号线分别对应复合。
6.如权利要求5所述的立体封装DDR2 SDRAM存储器,其特征在于:多个所述DDR2芯片(3)的数据总线并置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的