[实用新型]一种立体封装DDR2 SDRAM存储器有效

专利信息
申请号: 201921475085.3 申请日: 2019-09-06
公开(公告)号: CN210467839U 公开(公告)日: 2020-05-05
发明(设计)人: 颜军;陈像;潘申林;王烈洋;占连样 申请(专利权)人: 珠海欧比特宇航科技股份有限公司
主分类号: H01L27/108 分类号: H01L27/108;H01L23/552
代理公司: 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 代理人: 郑晨鸣
地址: 519080 广东省珠*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 立体 封装 ddr2 sdram 存储器
【权利要求书】:

1.一种立体封装DDR2 SDRAM存储器,其特征在于:包括封装体(5)以及均设置在所述封装体(5)内的引脚底板(1)和多个芯片层;

所述引脚底板(1)上设置有第一引线桥(11)以及用于对外连接的信号引脚(12),所述第一引线桥(11)通过走线与所述信号引脚(12)关联连接;

多个所述芯片层从下往上依次堆叠在所述引脚底板(1)上,每个所述芯片层包括基板(2)和DDR2芯片(3),所述基板(2)上设置有关联连接的第二引线桥(21)和信号连接线(22),所述DDR2芯片(3)叠放在所述基板(2)上,且与所述信号连接线(22)关联连接;

所述封装体(5)的外表面设置有镀金连接线(4)和金属屏蔽层,所述镀金连接线(4)将多个所述基板(2)的第二引线桥(21)关联连接后与所述第一引线桥(11)关联连接,所述金属屏蔽层与所述引脚底板(1)的接地信号引脚(12)关联连接。

2.如权利要求1所述的立体封装DDR2 SDRAM存储器,其特征在于:所述金属屏蔽层为镍合金屏蔽层。

3.如权利要求1所述的立体封装DDR2 SDRAM存储器,其特征在于:所述DDR2芯片(3)采用容量为128M,数据总线宽度为8位的DDR2芯片(3)。

4.如权利要求3所述的立体封装DDR2 SDRAM存储器,其特征在于:所述芯片层的数量为八层。

5.如权利要求1-4任意一项所述的立体封装DDR2 SDRAM存储器,其特征在于:多个所述DDR2芯片(3)的CS片选信号线、CK时钟信号线和CKE时钟使能信号线分别对应复合。

6.如权利要求5所述的立体封装DDR2 SDRAM存储器,其特征在于:多个所述DDR2芯片(3)的数据总线并置。

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