[实用新型]晶体生长装置

权利要求书

1.一种晶体生长装置，包括上保温筒和下保温筒，所述下保温筒用于容置坩埚，所述上保温筒用于形成晶体的生长空间，其特征在于，所述晶体生长装置还包括：第一加热装置和第二加热装置；

所述第一加热装置设置于所述下保温筒上，所述第一加热装置用于对所述下保温筒内放置的坩埚进行加热，以对所述坩埚内的原料进行加热；

所述第二加热装置设置于所述上保温筒内，所述第二加热装置用于对晶体进行加热。

2.根据权利要求1所述的晶体生长装置，其特征在于，所述第一加热装置为电感线圈，所述电感线圈套设于所述下保温筒外；

所述晶体生长装置还包括坩埚，所述坩埚为铱坩埚。

3.根据权利要求2所述的晶体生长装置，其特征在于，所述晶体生长装置还包括炉体，所述下保温筒和所述上保温筒均位于所述炉体内；

所述第一加热装置与所述炉体之间设置有低电阻金属筒，所述低电阻金属筒套设于所述第一加热装置外。

4.根据权利要求3所述的晶体生长装置，其特征在于，所述第二加热装置为电阻加热器。

5.根据权利要求4所述的晶体生长装置，其特征在于，所述第二加热装置呈筒状；

所述上保温筒的底部设置有支撑台，所述支撑台与所述上保温筒的内壁连接，所述第二加热装置安装于所述支撑台上。

6.根据权利要求5所述的晶体生长装置，其特征在于，所述晶体生长装置还包括旋转升降机构和籽晶杆；

所述旋转升降机构与所述籽晶杆的一端连接，所述籽晶杆的另一端用于固定籽晶；

所述籽晶杆用于将所述籽晶穿设在所述第二加热装置，所述旋转升降机构与所述炉体连接。

7.根据权利要求1所述的晶体生长装置，其特征在于，所述上保温筒的筒壁厚度大于所述下保温筒的筒壁厚度。

8.根据权利要求2所述的晶体生长装置，其特征在于，所述下保温筒与所述坩埚之间设置有保温砖层。

9.根据权利要求1所述的晶体生长装置，其特征在于，所述晶体生长装置还包括垫板；

所述下保温筒的底部设置有托盘，所述垫板设置于所述托盘与所述坩埚之间。

10.根据权利要求9所述的晶体生长装置，其特征在于，所述垫板为保温材料制成。