[实用新型]晶体生长装置

说明书

本实用新型提供了一种晶体生长装置，涉及晶体培养设备技术领域，包括上保温筒和下保温筒，下保温筒用于容置坩埚，上保温筒用于形成晶体的生长空间，晶体生长装置还包括：第一加热装置和第二加热装置；第一加热装置设置于下保温筒上，第一加热装置用于对下保温筒内放置的坩埚进行加热，以对坩埚内的原料进行加热；第二加热装置设置于上保温筒内，第二加热装置用于对晶体进行加热。通过第一加热装置控制原料的温度，通过第二加热装置控制晶体的温度，从而可以满足镥铝石榴石系列晶体的各个生长阶段对晶体与熔体之间不同的温度梯度的要求，使得本实用新型提供的晶体生长装置可以生产出镥铝石榴石系列晶体。

技术领域

本实用新型涉及晶体培养设备技术领域，尤其是涉及一种晶体生长装置。

背景技术

晶体生长装置是一种用于生产晶体的设备。目前，晶体生长装置一般用于生产普通的钇铝石榴石(YAG)系列晶体，晶体生长装置一般包括托盘、下保温筒、坩埚、上保温筒、炉体、旋转升降机构、籽晶杆、籽晶和电感线圈，下保温筒设置于托盘上，上保温筒设置于下保温筒上，坩埚设置于下保温筒内，电感线圈套设于下保温筒外，旋转升降机构与籽晶杆的一端连接，籽晶杆的另一端连接籽晶，将籽晶穿设在上保温筒，炉体套设于上保温筒和电感线圈外。

当培养晶体时，将用于生长晶体的原料填充至坩埚内，将电感线圈接通电源，使得坩埚加热，此时下保温筒对坩埚具备保温作用，下保温筒向上保温筒传递热量，坩埚也会直接向上辐射热量，使得上保温筒内也具备一定的温度，坩埚内的原料受热融化成熔体，通过旋转升降机构控制籽晶下降至熔体内，然后，通过旋转升降机构慢慢向上提拉籽晶，此时在籽晶上开始生长晶体，使得晶体位于上保温筒内。

当采用晶体生长装置生产高熔点大密度的镥铝石榴石(LuAG)系列晶体时，晶体生长分为引晶、放肩、等径生长和收尾几个阶段，生产镥铝石榴石系列晶体时，放肩阶段需要晶体与熔体之间具备较大的温度梯度，等径生长阶段需要晶体与熔体之间具备较小的温度梯度，收尾阶段需要晶体与熔体之间具备较大的温度梯度，然而，采用现有技术中的晶体生长装置培养高熔点大密度的镥铝石榴石系列晶体时，由于上保温筒是通过下保温筒向上传递热量来获得热能的，即上保温筒是与下保温筒的温度同步升高或者同步降低的，因此，现有的晶体生长装置无法满足镥铝石榴石系列晶体的各个生长阶段对晶体与熔体之间不同的温度梯度的要求，导致现有的晶体生长装置无法生产出镥铝石榴石系列晶体。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种晶体生长装置，以解决现有技术中的晶体生长装置无法生产出镥铝石榴石系列晶体的技术问题。

本实用新型提供一种晶体生长装置，包括上保温筒和下保温筒，所述下保温筒用于容置坩埚，所述上保温筒用于形成晶体的生长空间，所述晶体生长装置还包括：第一加热装置和第二加热装置；

所述第一加热装置设置于所述下保温筒上，所述第一加热装置用于对所述下保温筒内放置的坩埚进行加热，以对所述坩埚内的原料进行加热；

所述第二加热装置设置于所述上保温筒内，所述第二加热装置用于对晶体进行加热。

进一步地，所述第一加热装置为电感线圈，所述电感线圈套设于所述下保温筒外；

所述晶体生长装置还包括坩埚，所述坩埚为铱坩埚。

进一步地，所述晶体生长装置还包括炉体，所述下保温筒和所述上保温筒均位于所述炉体内；

所述第一加热装置与所述炉体之间设置有低电阻金属筒，所述低电阻金属筒套设于所述第一加热装置外。

进一步地，所述第二加热装置为电阻加热器。

进一步地，所述第二加热装置呈筒状；

所述上保温筒的底部设置有支撑台，所述支撑台与所述上保温筒的内壁连接，所述第二加热装置安装于所述支撑台上。