[实用新型]一种硅片导载装置有效
申请号: | 201921503826.4 | 申请日: | 2019-09-10 |
公开(公告)号: | CN210640202U | 公开(公告)日: | 2020-05-29 |
发明(设计)人: | 张学强;戴军;张建伟;罗银兵;张巍 | 申请(专利权)人: | 罗博特科智能科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;H01L21/67;H01L21/673 |
代理公司: | 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙) 32257 | 代理人: | 查杰 |
地址: | 215000 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 硅片 装置 | ||
1.一种硅片导载装置,其特征在于,包括梳齿片和插板,所述插板上等距离设置有若干插槽,所述梳齿片一端插入所述插槽内,相邻梳齿片之间形成让位槽,所述插板一侧面设有贯通所述插槽的锁紧螺纹孔,锁紧螺钉通过锁紧螺纹孔抵接梳齿片,以固定所述梳齿片,所述梳齿片另一端开设有沿竖直方向延伸的顶升槽。
2.如权利要求1所述的一种硅片导载装置,其特征在于,所述插槽贯穿所述插板,所述插槽一端设置有底板,所述底板与所述插板通过紧固螺钉固定连接。
3.如权利要求2所述的一种硅片导载装置,其特征在于,所述底板截面为凸形,所述插板底面为与所述底板配合的凹形。
4.如权利要求1所述的一种硅片导载装置,其特征在于,所述顶升槽的底部设有向梳齿片一侧倾斜的安放斜面,所述安放斜面与水平面的夹角为30°~60°。
5.如权利要求1所述的一种硅片导载装置,其特征在于,所述顶升槽的深度不大于让位槽的深度。
6.如权利要求1所述的一种硅片导载装置,其特征在于,所述顶升槽的宽度小于让位槽的宽度。
7.如权利要求1所述的一种硅片导载装置,其特征在于,所述顶升槽的顶部开口处设置有使得所述顶部开口逐渐外扩的引导斜面。
8.如权利要求7所述的一种硅片导载装置,其特征在于,所述引导斜面与竖直方向之间的夹角为5°~15°。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造