[实用新型]集成电路的封装结构及半导体封装装置有效

专利信息
申请号: 201921508087.8 申请日: 2019-09-11
公开(公告)号: CN210167347U 公开(公告)日: 2020-03-20
发明(设计)人: 黄水木 申请(专利权)人: 力智电子股份有限公司
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L21/66
代理公司: 中国商标专利事务所有限公司 11234 代理人: 张立晶;林琳
地址: 中国台湾新竹县*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 集成电路 封装 结构 半导体 装置
【权利要求书】:

1.一种集成电路的封装结构,其特征在于,包含:

晶粒,具有电路区、边界区、侧壁与切割边界,其中所述切割边界与所述侧壁位于所述边界区;

密封环,设置于所述晶粒上且位于所述电路区与所述边界区之间;

残留测试结构,设置于所述晶粒上且位于所述切割边界与所述侧壁之间;以及

保护层,自所述电路区延伸设置于所述边界区,且覆盖所述密封环与所述残留测试结构,其中所述保护层并覆盖所述密封环与所述残留测试结构之间的所述边界区。

2.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述残留测试结构包含金属层。

3.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述保护层为有机绝缘材料层。

4.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,还包含冶金层,其中所述冶金层设置于所述保护层上且电连接该晶粒。

5.一种半导体封装装置,其特征在于,包含:

集成电路的封装结构,包含:

晶粒,具有电路区、边界区、侧壁与切割边界,其中所述切割边界与所述侧壁位于该边界区;

密封环,设置于所述晶粒上且位于该电路区与所述边界区之间;

残留测试结构,设置于所述晶粒上且位于所述切割边界与所述侧壁之间;以及

保护层,自所述电路区延伸设置于所述边界区,且覆盖所述密封环与所述残留测试结构,其中该保护层并覆盖该密封环与该残留测试结构之间的所述边界区;

被动元件,与所述集成电路的封装结构分离地水平配置;

封装体,包覆所述集成电路的封装结构及该被动元件,所述封装体具有顶面,其中所述被动元件与所述集成电路的封装结构于所述顶面分别具有露出部,且所述露出部与所述顶面共平面;以及

金属层,配置于所述顶面上,电性连接所述被动元件与所述集成电路的封装结构。

6.根据权利要求5所述的半导体封装装置,其特征在于,所述残留测试结构包含金属层。

7.根据权利要求5所述的半导体封装装置,其特征在于,所述保护层为有机绝缘材料层。

8.根据权利要求5所述的半导体封装装置,其特征在于,所述集成电路的封装结构还包含冶金层,所述冶金层设置于所述保护层上且电连接所述晶粒及所述金属层。

9.根据权利要求5所述的半导体封装装置,其特征在于,所述金属层为图案化金属层,共形地形成于所述顶面上。

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