[实用新型]功率半导体器件的老化锤击测试装置有效
申请号: | 201921521665.1 | 申请日: | 2019-09-12 |
公开(公告)号: | CN211478534U | 公开(公告)日: | 2020-09-11 |
发明(设计)人: | 叶忠;杨海龙 | 申请(专利权)人: | 上海瞻芯电子科技有限公司 |
主分类号: | G01R31/26 | 分类号: | G01R31/26 |
代理公司: | 上海华诚知识产权代理有限公司 31300 | 代理人: | 肖华 |
地址: | 201306 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 功率 半导体器件 老化 测试 装置 | ||
1.一种功率半导体器件的老化锤击测试装置,其特征在于,包括外壳、至少一个电源、多个支撑件以及至少一个测试组件:
所述多个支撑件位于所述外壳内部,并相对于所述外壳固定设置;
所述至少一个电源和至少一个测试组件位于所述多个支撑件中的至少一个上;
所述至少一个测试组件包括至少一个测试电路板,被测功率半导体器件能够插设于所述测试电路板上;
所述至少一个电源与所述测试组件电连接。
2.如权利要求1所述的功率半导体器件的老化锤击测试装置,其特征在于,所述测试电路板与所述支撑件可拆卸连接。
3.如权利要求2所述的功率半导体器件的老化锤击测试装置,其特征在于,所述测试组件还包括相对于所述支撑件固定设置的导轨,所述测试电路板通过所述导轨与所述支撑件可拆卸连接。
4.如权利要求3所述的功率半导体器件的老化锤击测试装置,其特征在于,所述测试组件还包括电路背板,所述电路背板固定设置在所述支撑件上。
5.如权利要求4所述的功率半导体器件的老化锤击测试装置,其特征在于,所述至少一个电源与所述电路背板电连接,所述电路背板与所述测试电路板电连接。
6.如权利要求1所述的功率半导体器件的老化锤击测试装置,其特征在于,还包括网络通信设备,所述网络通信设备与所述测试组件通信连接。
7.如权利要求1所述的功率半导体器件的老化锤击测试装置,其特征在于,所述测试组件包括散热器,所述散热器固定设置在所述测试电路板上,并能够与所述被测功率半导体器件产生热交换。
8.如权利要求1所述的功率半导体器件的老化锤击测试装置,其特征在于,还包括风扇,所述风扇固定设置在所述测试电路板上。
9.如权利要求1所述的功率半导体器件的老化锤击测试装置,其特征在于,所述测试电路板包括控制卡,所述控制卡与所述测试电路板可拆卸连接。
10.如权利要求9所述的功率半导体器件的老化锤击测试装置,其特征在于,所述控制卡能够接收上位机发出的指令,并根据上位机发出的指令对电路中监测到的数据进行处理,并将处理结果反馈给所述上位机。
11.如权利要求1所述的功率半导体器件的老化锤击测试装置,其特征在于,所述电源包括第一电源,所述第一电源能够提供的电压大于1000V。
12.如权利要求1所述的功率半导体器件的老化锤击测试装置,其特征在于,所述电源包括第二电源,所述第二电源能够提供的电压在0到50V之间。
13.如权利要求1所述的功率半导体器件的老化锤击测试装置,其特征在于,每个所述测试电路板上能够插设4个所述被测功率半导体器件。
14.如权利要求1所述的功率半导体器件的老化锤击测试装置,其特征在于,所述被测功率半导体器件包括碳化硅场效应晶体管。
15.如权利要求1所述的功率半导体器件的老化锤击测试装置,其特征在于,所述被测功率半导体器件包括硅基场效应晶体管。
16.如权利要求1所述的功率半导体器件的老化锤击测试装置,其特征在于,所述被测功率半导体器件包括硅基绝缘栅双极型晶体管。
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