[实用新型]功率半导体器件的老化锤击测试装置

说明书

本申请涉及功率半导体的测试技术领域，公开了一种功率半导体器件的老化锤击测试装置。本申请中的功率半导体器件的老化锤击测试装置包括：外壳、至少一个电源、多个支撑件以及至少一个测试组件：多个支撑件位于所述外壳内部，并相对于所述外壳固定设置；至少一个电源和至少一个测试组件位于多个支撑件中的至少一个上；至少一个测试组件包括测试电路板，功率半导体器件能够插设于测试电路板上；至少一个电源与测试组件电连接。通过扩展支撑件，本申请公开的功率半导体器件的老化锤击测试装置能够都同时对上百个功率半导体器件进行老化锤击测试，从而有效地作为现有JEDEC的相关可靠性测试要求及认证的补充测试。

技术领域

本申请涉及功率半导体器件的测试技术领域，特别涉及一种功率半导体器件的老化锤击测试装置。

背景技术

功率半导体器件是现代电力电子技术发展的基础，也是电气化工业里电力变换最核心的器件，SiC场效应管作为第三代宽禁带半导体功率器件，其性能在各方面都要优于硅基半导体功率器件，而器件的可靠性又是其核心竞争力，其好坏直接关系到整个电力电子产品质量的优劣。因此在SiC场效应管的量产后及出厂前，对SiC场效应管在系统中进行严格的可靠性测试，显得尤为重要。老化锤击测试系统作为一种可同时对上百个SiC场效应管功率器件进行锤击和老化的自动化测试系统，具有极其重要的商业应用价值。

目前，虽然JEDEC(Joint Electron Device Engineering Council,电子器件工程联合委员会)宣布成立了面向宽禁带功率半导体的委员会JC-70，但相应的宽禁带半导体功率器件测试标准尚未出台，国内相关领域内也没有针对SiC场效应管的可靠性测试平台及方案。相关领域内的同类产品是基于硅基功率器件的相对成熟的可靠性测试装置和设备，但这种装置和设备无法对SiC场效应管功率器件进行高压、大电流的锤击以及高温老化自动化测试，而且价格相对比较昂贵，一次也只能测试一个或几个功率器件，人为参与较多，自动化程度不高，操作不方便。

实用新型内容

针对现有SiC场效应管测试技术中存在的不足，本实用新型所要解决的技术问题是提供一种应用于功率半导体器件的老化锤击测试装置。

本申请的实施例公开了一种功率半导体器件的老化锤击测试装置，包括：

外壳、至少一个电源、多个支撑件以及至少一个测试组件：

多个支撑件位于所述外壳内部，并相对于所述外壳固定设置；

至少一个电源和至少一个测试组件位于多个支撑件中的至少一个上；

至少一个测试组件包括测试电路板，功率半导体器件能够插设于测试电路板上；

至少一个电源与测试组件电连接。

在上述测试装置的一种具体实现中，所述测试电路板与所述支撑件可拆卸连接。

在上述测试装置的另一种具体实现中，所述测试组件还包括相对于所述支撑件固定设置的导轨，所述测试电路板通过所述导轨与所述支撑件可拆卸连接。

在上述测试装置的另一种具体实现中，所述测试组件还包括电路背板，所述电路背板固定设置在所述支撑件上。

在上述测试装置的另一种具体实现中，所述至少一个电源与所述电路背板电连接，所述电路背板与所述测试电路板电连接。

在上述测试装置的另一种具体实现中，还包括网络通信设备，所述网络通信设备与所述测试组件通信连接。

在上述测试装置的另一种具体实现中，所述测试组件包括散热器，所述散热器固定设置在所述测试电路板上，并能够与所述被测功率半导体器件产生热交换连接。

在上述测试装置的另一种具体实现中，还包括风扇，所述风扇固定设置在相对于所述测试电路板固定设置上。