[实用新型]缓启电路的保护电路及电力电子设备

权利要求书

1.一种缓启电路的保护电路，所述缓启电路与直流母线上的缓启继电器并联连接，且所述直流母线的后级电路包括由驱动芯片控制运行的电子元件，其特征在于，所述保护电路包括采样单元、比较单元和放电单元；所述采样单元的输入端连接到所述直流母线，且所述采样单元的输出端连接到所述比较单元的输入端，并将采样获得的所述直流母线的电压输出到所述比较单元；所述比较单元的输出端连接到所述放电单元的输入端，并在输入端电压小于基准电压时输出无效电平；所述放电单元的输出端连接到所述驱动芯片的供电端，并在接收到来自所述比较单元的无效电平时将所述驱动芯片的供电端的电压拉低。

2.根据权利要求1所述的缓启电路的保护电路，其特征在于，所述采样单元和比较单元位于所述缓启继电器的控制回路内，且所述缓启继电器在所述比较单元输出无效电平时断开。

3.根据权利要求1或2所述的缓启电路的保护电路，其特征在于，所述驱动芯片的供电端连接有储能电容，所述放电单元包括隔离子单元和开关子单元；所述隔离子单元的原边连接到所述比较单元的输出端，并在所述比较单元输出无效电平时断开；所述开关子单元串联连接在所述储能电容与第一参考地之间，且所述开关子单元的控制端连接到所述隔离子单元的副边，并在所述隔离子单元的副边关断时导通。

4.根据权利要求3所述的缓启电路的保护电路，其特征在于，所述隔离子单元包括光耦，且所述光耦的原边的正极连接到所述比较单元的输出端，所述光耦原边的负极连接第二参考地。

5.根据权利要求4所述的缓启电路的保护电路，其特征在于，所述光耦的副边的正极连接到所述驱动芯片的供电端，所述开关子单元包括P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管，且所述P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的源极经由第一电阻连接到所述驱动芯片的供电端，所述P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极连接第一参考地，所述P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极连接到所述光耦的副边的负极，且所述P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极和漏极之间连接有第二电阻。

6.根据权利要求5所述的缓启电路的保护电路，其特征在于，所述第一参考地与负直流母线等电位。

7.根据权利要求1所述的缓启电路的保护电路，其特征在于，所述采样单元包括运算放大器，且所述运算放大器的反向输入端经由第三电阻连接到负直流母线，所述运算放大器的正相输入端经由第四电阻连接到正直流母线，且所述运算放大器的正相输入端还经由第五电阻连接第二参考地；所述运算放大器的输出端连接到所述比较单元的输入端。

8.根据权利要求7所述的缓启电路的保护电路，其特征在于，所述比较单元包括比较器，所述比较器的正相输入端经由第六电阻连接到所述运算放大器的输出端，所述比较器的反向输入端连接基准电压，所述比较器的输出端经由第七电阻连接供电电压，且所述比较器的输出端还经由第八电阻连接到所述放电单元的输入端。

9.一种电力电子设备，所述电力电子设备包括直流母线、连接到所述直流母线并由驱动芯片控制运行的逆变单元，且所述直流母线上具有缓启电路以及缓启继电器，其特征在于，所述电力电子设备还包括如权利要求1-8中任一项所述的缓启电路的保护电路。