[实用新型]一种冷却导流装置及硅片切割系统有效

专利信息
申请号: 201921526038.7 申请日: 2019-09-12
公开(公告)号: CN211616187U 公开(公告)日: 2020-10-02
发明(设计)人: 孙玉虎;李爱国;张阳 申请(专利权)人: 晶海洋半导体材料(东海)有限公司
主分类号: B28D5/04 分类号: B28D5/04;B28D7/02;B01D29/03;B01D29/56;B01D19/00
代理公司: 广州知友专利商标代理有限公司 44104 代理人: 李海波;高文龙
地址: 222300 江苏省连云港市东*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 冷却 导流 装置 硅片 切割 系统
【说明书】:

本申请提供一种冷却导流装置及硅片切割系统,包括:具有出液口的盛液槽;导流板,所述导流板包括导流主板和连接板,通过连接板使所述导流主板与所述盛液槽的出液口倾斜连接;漫液板,所述漫液板设置在所述连接板背离所述盛液槽的底部的一面,并且所述漫液板具有向远离连接板方向的凸起,能够对切割液的流动状态进行控制,降低切割液导流过程中波纹的产生,使得流出的液流为一条直线,从而减少切割液对线网和硅方夹角处的液流冲击,达到降低硅片入刀TTV的目的。

技术领域

实用新型涉及硅片切片技术领域,具体涉及一种冷却导流装置及硅片切割系统。

背景技术

硅片切片行业发展至今,尤其采用金钢线切割技术以来,对切片设备的加工精度和效率的要求日益提升。

目前国内的硅片切割设备主要分为日本NTC和梅耶博格两种机型路线,其他国产切片设备基本都是借鉴以上两种其中的一种路线。硅片切片机切割室的导流装置均包括进液装置、主液槽和导流板,现有导流装置在使用过程中主要存在如下三点缺陷:

(1)导流装置定位不够精准,且无法调节,不能规范统一作业标准;

(2)由于切割液的有机物因高温容易产生气泡,另外切割液由泵压输出经导流板喷流到线网与硅片夹角处,气泡和切割液的液流冲击压力综合影响,导致切割入刀TTV不良(TTV是硅单晶片在厚度测量值中的最大厚度与最小厚度的差值,称作硅片的总厚度变化),影响硅片的切割良率;

(3)导流装置整体长度不够,不能适应加长导轮的工艺要求,存在不适应加长晶棒切割的缺陷。

实用新型内容

根据上述技术问题,一方面本申请的目的是提供一种冷却导流装置,具体方案如下:

一种冷却导流装置,用于硅片切割过程中冷却液的导流,包括:

具有出液口的盛液槽;

导流板,所述导流板包括导流主板和连接板,通过连接板使所述导流主板与所述盛液槽的出液口倾斜连接;

漫液板,所述漫液板设置在所述连接板背离所述盛液槽的底部的一面,并且所述漫液板具有向远离连接板方向的凸起。

可选的,所述盛液槽的出液口到盛液槽底部的高度低于盛液槽的侧壁到盛液槽的槽底的高度。

可选的,所述导流主板和所述连接板连接的边长与所述连接板和所述盛液槽的出液口连接的边长尺寸相同。

可选的,所述导流主板的倾斜方向为所述导流主板自由端向盛液槽底部的方向倾斜。

可选的,所述漫液板底部平直,所述漫液板的凸起到所述漫液板底部的高度一致。

可选的,所述漫液板的横截面为等腰三角形。

可选的,所述冷却导流装置还包括挡液板,所述挡液板相对的两端分别与所述盛液槽的侧壁连接,形成由挡液板分隔形成的第一容纳空间和第二容纳空间,所述第一容纳空间和第二容纳空间靠近盛液槽底部互相连通;能够使切割液进入第一容纳空间后绕过挡液板从第二容纳空间溢出,然后经导流板流出。

可选的,所述冷却导流装置还包括过滤箱,所述过滤箱是包括具有进液口和过滤底板的腔体,所述过滤箱的过滤底板容置于所述储液槽的第一容纳空间中。

可选的,所述过滤箱的腔体内部设置有过滤减压板,将所述过滤箱的腔体分隔成上腔室和下腔室。

可选的,所述过滤减压板开设有一级减压孔;所述过滤底板开设有二级减压孔。

可选的,所述一级减压孔为四条,两两并排设置,所述一级减压孔的宽度为2~6mm。

可选的,所述二级减压孔为三条,呈一字型排列,所述二级减压孔的宽度为2~8mm。

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