[实用新型]一种硅基三维扇出集成封装结构有效
| 申请号： | 201921532939.7 | 申请日： | 2019-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN210296354U | 公开（公告）日： | 2020-04-10 |
| 发明（设计）人： | 王成迁;明雪飞;吉勇 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十八研究所 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L23/31;H01L21/50;H01L21/56 |
| 代理公司： | 无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙) 32340 | 代理人： | 杨立秋 |
| 地址： | 214000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 三维 集成 封装 结构 | ||
1.一种硅基三维扇出集成封装结构，包括硅基(101)，其特征在于，
所述硅基(101)第一面设置有第一布线层(105)和母芯片(301)，所述第一布线层(105)和所述母芯片(301)通过再布线层(107)和微凸点(306)与第一组子芯片焊接相连；
所述硅基(101)第二面和所述母芯片(301)背面埋置有第二组子芯片，并依次制作有n层布线(110)、阻焊层(111)和凸点(112)。
2.如权利要求1所述的硅基三维扇出集成封装结构，其特征在于，所述硅基(101)第一面开有TSV通孔(103)和凹槽(104)，
所述第一布线层(105)实现所述TSV通孔(103)与所述硅基(101)表面互连；
所述母芯片(301)埋在所述凹槽(104)中，其焊盘朝外。
3.如权利要求2所述的硅基三维扇出集成封装结构，其特征在于，所述凹槽(104)大小根据所述母芯片(301)尺寸决定，深度至少10μm；所述TSV通孔(103)深度与所述凹槽(104)一致；
所述凹槽(104)和所述TSV通孔(103)的数量均不小于1。
4.如权利要求2所述的硅基三维扇出集成封装结构，其特征在于，所述母芯片(301)通过临时粘合胶(303)埋在所述凹槽(104)中。
5.如权利要求4所述的硅基三维扇出集成封装结构，其特征在于，所述母芯片(301)和所述临时粘合胶(303)的总厚度与所述凹槽(104)深度的误差不超过5μm；
所述母芯片(301)为1颗或多颗，多颗母芯片同时埋入一个凹槽或者每个母芯片分别埋入一个凹槽。
6.如权利要求1所述的硅基三维扇出集成封装结构，其特征在于，所述硅基(101)第一面塑封有塑封材料(108)，所述塑封材料(108)完全包裹所述第一组子芯片的侧面；
所述塑封材料(108)是树脂类聚合物或聚酰亚胺类聚合物。
7.如权利要求1所述的硅基三维扇出集成封装结构，其特征在于，所述母芯片(301)和所述硅基(101)的空隙中填充有第一干膜材料(106)，
所述第一干膜材料(106)为树脂类聚合物或聚酰亚胺类聚合物。
8.如权利要求1所述的硅基三维扇出集成封装结构，其特征在于，所述第二组子芯片和所述硅基(101)的空隙中填充有第二干膜材料(113)，
所述第二干膜材料(113)为树脂类聚合物或聚酰亚胺类聚合物。
9.如权利要求1所述的硅基三维扇出集成封装结构，其特征在于，所述母芯片(301)是包括FPGA、CPU和GPU在内的处理器芯片。
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