[实用新型]一种硅基三维扇出集成封装结构

说明书

本实用新型公开一种硅基三维扇出集成封装结构，属于集成电路封装技术领域。所述硅基三维扇出集成封装结构包括硅基，所述硅基第一面设置有第一布线层和母芯片，所述第一布线层和所述母芯片通过再布线层和微凸点与第一组子芯片焊接相连；所述硅基第二面和所述母芯片背面埋置有第二组子芯片，并依次制作有n层布线、阻焊层和凸点。通过使用硅基实现双面芯片埋入，最大化的利用了硅基基体和母芯片基体，完成高密度异构芯片三维集成，其封装效率、集成度、性能大大提高。

技术领域

本实用新型涉及集成电路封装技术领域，特别涉及一种硅基三维扇出集成封装结构。

背景技术

随着集成电路技术的发展，封装与晶圆制造的边界出现交叉，有相互趋近、融合的趋势。当前及未来，封装不再仅仅是保护和引出作用，还具备了强大的集成能力，通过封装集成，解决半导体工艺目前的困局，即所谓超越摩尔定律。封装集成通过灵活的手段将多类型、多功能器件进行物理尺寸和性能上的整合，实现SOC希望达到但短期能很难达到的高性能、低功耗、小型化的效果。

近年来，随着摩尔定律逐渐走到尽头，扇出型三维封装由于可以高密度集成多功能异构芯片从而形成性能优异的微系统组件，受到越来越多的重视。扇出型三维封装技术形成的封装体互联密度高，相比传统的引线键合封装方案，具有更佳的性能优势，更轻薄的封装结构。扇出型三维封装技术对各类功能芯片的微系统进行再集成，实现高密度、小型化集成的功能组件，该技术不仅可以减少电子器件的体积和重量，同时还能改善电子系统的性能、减少信号的延迟、降低噪声和功率损耗等。

申请号为201910703380.8和201610098740.2的专利使用硅基重构晶圆并扇出晶圆级封装，实现了三维集成封装。但是在这些三维扇出型封装结构中，只在硅基的一面埋入芯片，另外一面仅仅制作重布线和凸点完成电性互连。很显然，这种三维扇出型封装没有最大化的将硅基利用起来，也没有实现硅基三维扇出型封装的最高密度集成。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种硅基三维扇出集成封装结构，以解决目前硅基三维扇出型封装集成度不高的问题。

为解决上述技术问题，本实用新型提供了一种硅基三维扇出集成封装结构，包括硅基，

所述硅基第一面设置有第一布线层和母芯片，所述第一布线层和所述母芯片通过再布线层和微凸点与第一组子芯片焊接相连；

所述硅基第二面和所述母芯片背面埋置有第二组子芯片，并依次制作有n层布线、阻焊层和凸点。

可选的，所述硅基第一面开有TSV通孔和凹槽，

所述第一布线层实现所述TSV通孔与所述硅基表面互连；

所述母芯片埋在所述凹槽中，其焊盘朝外。

可选的，所述凹槽大小根据所述母芯片尺寸决定，深度至少10μm；所述TSV通孔深度与所述凹槽一致；

所述凹槽和所述TSV通孔的数量均不小于1。

可选的，所述母芯片通过临时粘合胶埋在所述凹槽中。

可选的，所述母芯片和所述临时粘合胶的总厚度与所述凹槽深度的误差不超过5μm；

所述母芯片为1颗或多颗，多颗母芯片同时埋入一个凹槽或者每个母芯片分别埋入一个凹槽。

可选的，所述硅基第一面塑封有塑封材料，所述塑封材料完全包裹所述第一组子芯片的侧面；

所述塑封材料是树脂类聚合物或聚酰亚胺类聚合物。

可选的，所述母芯片和所述硅基的空隙中填充有第一干膜材料，

所述第一干膜材料为树脂类聚合物或聚酰亚胺类聚合物。