[实用新型]用于晶片缺陷检测的显微镜载物台及晶片缺陷检测装置有效
申请号: | 201921549105.7 | 申请日: | 2019-09-16 |
公开(公告)号: | CN211122586U | 公开(公告)日: | 2020-07-28 |
发明(设计)人: | 张九阳;许晓林;高超;李霞;李磊磊 | 申请(专利权)人: | 山东天岳先进材料科技有限公司 |
主分类号: | G01N21/95 | 分类号: | G01N21/95;G01N21/01 |
代理公司: | 济南千慧专利事务所(普通合伙企业) 37232 | 代理人: | 韩玉昆 |
地址: | 250100 山东省济南市高新区*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 晶片 缺陷 检测 显微镜 载物台 装置 | ||
本实用新型提供了一种用于晶片缺陷检测的显微镜载物台及晶片缺陷检测装置,该显微镜载物台包括面板,所述面板上沿其横向滑动设置有横向标尺和纵向滑动设置有纵向标尺,横向标尺上移动设置有第一激光定位器,纵向标尺上移动设置有第二激光定位器。该晶片缺陷检测装置具有所述显微镜载物台。本实用新型对显微镜载物台结构进行改进,通过设置可移动的激光定位器,实现对缺陷位置的准确定位;通过对激光定位器所在横纵标尺的坐标式数值化记录,可实现对缺陷区域的数值化标记,简化了质检工作量,降低区域标记上的失误率。
技术领域
本实用新型涉及一种用于缺陷定位检测的显微镜载物台及其装置,属于晶片缺陷检测的技术领域。
背景技术
随着物联网和大数据时代的到来,功率半导体器件的应用日益广泛,碳化硅作为应用最成熟宽禁带半导体材料之一亦备受关注。随着碳化硅基射频及功率器件的大规模应用,下游外延及器件应用对碳化硅半导体材料的体内缺陷及和表面加工质量也提出了更高的要求。
技术发展至今,产业界通过物理气相输运(PVT)法已可实现4-6英寸碳化硅晶片的批量生产。但在碳化硅单晶制备过程中由于温控不稳定、气相成分变化等原因造成的包裹体、应力集中、多型共生等缺陷,以及后续加工过程中出现在衬底表面的划痕以及崩边等问题,仍是影响碳化硅衬底质量和产出、以及下游外延和芯片制备质量的关键问题。因此,如何提高晶体和衬底中缺陷的检测精度及效率,对于碳化硅衬底的大规模工业化生产及下游高质量射频功率芯片的制备仍是亟需解决的关键问题。
相比于同步辐射测试、拉曼测试等手段,采用高分辨光学显微镜对碳化硅晶片的内部缺陷及表面光洁性进行初步检测具有检测时间短,检测过程便捷而且节省设备费用开支等优点。通过切换普通光源与偏振光源,可通过对比晶体与晶体缺陷对光的折射率不同从而实现对晶体内部缺陷及表面划痕等质量问题的检测。但在检测过程中由于无法实现缺陷的自动识别,因此还需人工对缺陷进行初步检测,加之对缺陷的观察及位置记录,增加了晶片质量检测的工作量。
目前,使用光学显微镜进行晶片检测,载物台的构造只适用于特定尺寸的晶片,在对于不同尺寸的晶片需将其放入不同规格的凹槽内,无法实现灵活观测。在人工检测晶片缺陷时,为了确定及记录缺陷位置,常使用网格纸置于晶片之下对其进行区域划分。长期使用网格纸进行检测不仅会由于纸屑脱落造成晶片表面污染从而增加观测难度,而对于某些透光性较差的晶片,无法准确观察到网格线的位置,从而无法准确进行缺陷记录。且在缺陷记录时,由于当前显微镜载物台无定位装置,在将缺陷所在区域进行筛选记录的过程中既增加了工作量,又无法快速准确的对其位置进行标记。
实用新型内容
为了解决上述问题,本实用新型提供了一种改进后的显微镜载物台,该装置可实现方便快捷的缺陷定位及记录功能。
本实用新型采用的技术方案如下:
本实用新型提供了一种用于晶片缺陷检测的显微镜载物台,包括面板,所述面板上沿其横向滑动设置有横向标尺和纵向滑动设置有纵向标尺,横向标尺上移动设置有第一激光定位器,纵向标尺上移动设置有第二激光定位器。
优选的,所述横向标尺上安装有横向移动支座,横向移动支座上固定有第一激光定位器;纵向标尺上安装有纵向移动支座,纵向移动支座上固定有第二激光定位器。
优选的,所述面板上横向设置有横向滑轨和纵向设置有纵向滑轨,横向标尺安装在横向滑轨上,纵向标尺安装在纵向滑轨上。
优选的,所述横向滑轨的一端与纵向滑轨的一端连接,横向标尺通过第一滑块在横向滑轨内滑动,纵向标尺通过第二滑块在纵向滑轨内滑动。
优选的,所述第一激光定位器和第二激光定位器均为均为能调节激光光线角度的激光器。
优选的,所述横向标尺和纵向标尺的靠中部位置上均安装有微型吸附器。
优选的,所述面板由半透明材料或透明材料制成。
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