[实用新型]一种探测器芯片有效
申请号: | 201921551740.9 | 申请日: | 2019-09-18 |
公开(公告)号: | CN210778612U | 公开(公告)日: | 2020-06-16 |
发明(设计)人: | 廖世容;万远涛 | 申请(专利权)人: | 浙江光特科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0203 | 分类号: | H01L31/0203;H01L31/105 |
代理公司: | 绍兴普华联合专利代理事务所(普通合伙) 33274 | 代理人: | 桑杨 |
地址: | 312000 浙江省绍兴市*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 探测器 芯片 | ||
1.一种探测器芯片,其特征在于:包括衬底、有源层、N型电极、P型电极、支撑柱,所述衬底上设置有源层,所述有源层包括N型半导体层、P型半导体层、吸收层,N型半导体层、P型半导体层、吸收层从下至上依次设置,所述吸收层为InGaAs吸收层,去掉所述有源层的一部分以露出衬底,所述衬底和有源层上设置N型电极和P型电极,所述支撑柱设置在衬底上或有源层上,且支撑柱的最高点高于P型电极的最高点。
2.根据权利要求1所述的一种探测器芯片,其特征在于:所述支撑柱的截面为圆形或者多边形。
3.根据权利要求2所述的一种探测器芯片,其特征在于:所述支撑柱的数量为一个,设置在芯片四个边角处的其中一个;或者所述支撑柱的数量为两个,设置在芯片四个边角处中对称的两个;或者所述支撑柱的数量为四个,分别设置在芯片的四个边角处。
4.根据权利要求2或3所述的一种探测器芯片,其特征在于:所述衬底为磷化铟衬底、硅衬底或砷化镓衬底。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的